一种基于自动快速编程的Flash存储器测试方法、系统及存储介质与流程
一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法、系统及存储介质
技术领域
1.本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法、系统及存储介质。
背景技术：
2.典型的flash存储器芯片内部结构示意图如图1所示，在flash存储器进行编程的测试过程中一般的测试方法是进入测试模式之后，发测试指令以及地址进行编程操作，并且通过外部cs pin(片选信号引脚)传编程用的wl(字线)高压，这种编程测试模式时序图如图2所示，此方法的优点是外部传高压，高压可控，并且跟随地址编程，使得测试进行编程操作时更精准。
3.但是随着flash容量越来越大，设计越来越复杂，测试项目越来越多，通过编程给定地址的存储单元的测试方法过于单一，已经不能满足对于多个项目的测试需求。
技术实现要素：
4.针对现有技术的不足，本发明提供一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法、系统及存储介质，用于提供多重测试功能并有效节约测试的时间，特别适配满足多个项目的测试需求。
5.本发明解决技术问题采用如下技术方案：
6.本发明提供了一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，包括：
7.对存储器阵列单元执行擦除操作；
8.生成并读取测试配置指令；
9.预处理写数据模式，包括全零数据模式或棋盘格数据模式中的一种或几种；
10.基于写数据模式初始化页数据缓冲器；
11.顺次分页执行自动编程验证操作直至所有页全部执行完毕，其中自动编程验证操作包括页编程验证以及验证失败后重复进行的页编程和页编程后验证动作。
12.优选地，所述预处理写数据模式包括基于配置指令生成选页使能信号；
13.所述全零数据模式为阵列存储单元写全0数据模式；
14.所述棋盘格数据模式包括正棋盘格数据模式和反棋盘格数据模式，其中正棋盘格数据模式为偶数位线上的存储单元写0，奇数位线上的存储单元写1，反棋盘格数据模式为偶数位线上的存储单元写1，奇数位线上的存储单元写0。
15.优选地，所述自动编程验证操作具体包括：
16.对页存储单元进行编程验证；
17.若验证通过则进行尾页判断：若该页为尾页则自动编程验证操作结束，否则页地址加1，继续对下一页执行自动编程验证操作；
18.若验证不通过则顺次对该页执行编程操作和编程后验证操作，若编程后验证通过
则执行所述尾页判断的步骤，否则重复执行本步骤。
19.优选地，所述自动编程验证操作还包括：
20.设置页编程计数器，当编程后验证不通过时计数加一，若此时编程计数器数值小于预设值，则对当前页重复执行编程操作和编程后验证操作直至编程后验证通过，否则记录当前页地址信息并执行所述尾页判断的步骤。
21.优选地，所述基于写数据模式初始化页数据缓冲器，具体包括：
22.读取选页使能信号，生成页数据缓冲器输出数据的逻辑控制信号；
23.所述逻辑控制信号配置为使得页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作以实现目标存储单元的写0或写1。
24.优选地，所述页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作以实现目标存储单元的写0或写1具体包括：
25.当页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作使得目标存储单元编程验证通过时，目标存储单元写1，否则目标存储单元写0。
26.优选地，所述若验证不通过则顺次对该页执行编程操作和编程后验证操作还包括：
27.若验证不通过，则执行冗余阵列存储单元地址匹配判断操作：
28.若匹配通过，则冗余阵列存储单元同步该页主阵列存储单元执行编程操作和编程后验证操作；否则仅对该页主阵列存储单元执行编程操作和编程后验证操作；
29.优选地，所述页编程验证和页编程后验证动作均包括：
30.读取选中的目标阵列存储单元中的数据，并与页数据缓冲器输出的数据进行比对验证，若验证通过则顺次进行在后阵列存储单元验证，否则将验证结果回传至页数据缓冲器，并对当前选中的目标阵列存储单元执行编程操作；
31.其中，对选中的目标阵列存储单元执行编程验证时同步对未选中的阵列存储单元执行以下操作：
32.将未选中的阵列存储单元阱区和源端接地；
33.若未选中的阵列存储单元与目标阵列存储单元属于同一块，则将其字线接入负压；否则将其字线接0。
34.本发明还提供一种基于自动快速编程的flash存储器测试系统，包括预处理模块，页编程验证模块和编程模块，其中，
35.所述预处理模块配置成用于执行：
36.对存储器阵列单元执行擦除操作；
37.生成并读取测试配置指令；
38.预处理写数据模式，包括全零数据模式或棋盘格数据模式中的一种或几种；
39.以及基于写数据模式初始化页数据缓冲器；
40.所述页编程验证模块和编程模块配置为用于顺次分页执行自动编程验证操作直至所有页全部执行完毕，其中自动编程验证操作包括页编程验证以及验证失败后重复进行的页编程和页编程后验证动作。
41.本发明还提供一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，所述计算机指令用于使所述计算机执行前述的基于自动快速编程的flash存储器测试方法。
42.与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
43.本发明的基于自动快速编程的flash存储器测试方法直接控制flash从首地址开始做编程验证-编程-编程验证这样的一直到尾地址结束，同时在整个芯片做自动快速编程的基础上为了测试整个芯片相邻bl之间耦合及短接的影响程度，在设计过程中同时设计了相应步骤来实现整个芯片编程不同的棋盘格数据形式，通过本发明的自动快速编程方法给整个芯片写全0，或者01交叉的棋盘格数据形式又或者是10交叉的反棋盘格数据形式，然后在读出整个阵列单元数据的时候就可以快速检测出那些”突变”的数据；
44.此外考虑到flash芯片的修复功能，本发明对除了flash芯片主阵列存储单元之外的冗余阵列存储单元也设计了通过配置动作实现冗余阵列存储单元跟随main array cell编程不同的棋盘格数据形式，以此实现两块array区域里面cell的数据同型。通过这种自动快速编程方法能够让测试人员在进行flash存储器编程有关验证时更加高效，并且同时对照测试主阵列存储单元和冗余阵列存储区域位线的耦合及短接情况；
45.进一步的本发明的测试方法可以调用复用内部状态机用于测试节省了芯片面积，与现有测试方式比较，本发明采用自动快速编程配合地址和外部高压的编程方法使得对flash存储器的编程操作更加灵活，更加快速、高效，具有多重测试功能，大大节约了测试时间，更加适配于多个项目的测试需求。
46.关于本发明相对于现有技术，其他突出的实质性特点和显著的进步在实施例部分进一步详细介绍。
附图说明
47.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
48.图1为flash存储器芯片内部结构示意图；
49.图2为现有的按地址做编程且外部加高压的测试时序图；
50.图3为实施例1的自动快速编程指令的流程简图；
51.图4为实施例1的带冗余阵列匹配判断编程的流程简图；
52.图5为实施例1的页数据缓冲器内部结构示意图；
53.图6为实施例1的flash存储器主阵列存储单元奇偶bl写01交叉的版图示意图；
54.图7为实施例1的自动快速编程的测试时序图；
55.图8为实施例2中自动快速编程的flash存储器测试系统结构示意图。
具体实施方式
56.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
57.需要说明的是，在说明书及权利要求书当中使用了某些名称来指称特定组件。应当理解，本领域普通技术人员可能会用不同名称来指称同一个组件。本技术说明书及权利要求书并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的实质性差异作为区
分组件的准则。如在本技术说明书和权利要求书中所使用的“包含”或“包括”为一开放式用语，其应解释为“包含但不限定于”或“包括但不限定于”。具体实施方式部分所描述的实施例为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围。
58.此外，所属技术领域的技术人员知道，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为软硬件结合的形式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。此外，在一些实施例中，本发明的各个方面还可以实现为在一个或多个微控制器可读介质中的计算机程序产品的形式，该微控制器可读介质中包含微控制器可读的程序代码。
59.实施例1
60.本实施例提供的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，包括：
61.对存储器阵列单元执行擦除操作，具体为将flash存储器阵列单元初态全部擦除为1。
62.生成并读取测试配置指令，本技术在这里基于spi协议发测试模式专用的指令来进入测试模式，自动快速编程的测试时序图如图7所示，在本实施例中整个自动快速编程指令的流程简图如图3所示：
63.预处理写数据模式，包括全零数据模式或棋盘格数据模式中的一种或几种；在这里预处理写数据模式包括基于配置指令生成选页使能信号，具体的为通过不同的测试配置指令设计不同的控制逻辑信号，并且通过和配置指令信号做逻辑处理生成选页使能信号来参与到接下初始化页数据缓冲器中的数据的过程；
64.在本实施例中一共设计了3种写整个存储芯片的数据形式，包括棋盘格数据模式和全零数据模式，其中全零数据模式为阵列存储单元写全0数据模式；
65.棋盘格数据模式包括正棋盘格数据模式和反棋盘格数据模式，其中正棋盘格数据模式为偶数位线上的存储单元写0，奇数位线上的存储单元写1，反棋盘格数据模式为偶数位线上的存储单元写1，奇数位线上的存储单元写0，这两种整个阵列的棋盘格交叉形式是为了在后续编程验证过程中能验证相邻bl之间的耦合以及短接情况，进一步解释如下：
66.因为存储阵列采用的nor-flash架构，位线从物理分布角度可以分为奇偶两种，如图6所示。我通过将偶数bl写0，奇数bl写1，也可以将偶数bl写1，奇数bl写0，这样整个芯片就可以写成0和1交叉形式的棋盘格数据模式。(以下讨论设计均以偶数bl写0，奇数bl写1为主)。因为flash存储阵列相邻位线之间产生编程干扰的影响，如果出现相邻位线之间很强的耦合，那么我们写1的存储单元也会因为位线之间的耦合导致我们写1的数据变成0，这样后续在读出整个整列数据的时候就可以检测出那些”突变”的数据。
67.为实现以上目标本实施例设计了如下控制逻辑的方法：
68.首先设计两种配置指令来控制01交叉写整个芯片的逻辑。一种是偶数bl上的cell写0，奇数bl上的cell写1，还有一种是偶数bl上的cell写1，奇数bl上的cell写0。
69.其次因为flash阵列一根字线下面挂4个页，这些页的存储单元的位线就只分为奇偶两种，将芯片选页的地址位信号和上一步的配置指令做逻辑处理生成选页使能信号来参与到页数据缓冲器的sram控制逻辑来选择我们要做编程的页的区域。这样选出写0的页区域和写1的页区域。
70.接着通过将上一步骤里面的控制信号去参与到页数据缓冲器的sram控制逻辑进
而决定页数据缓冲器输出数据的状态，这样在做编程验证的过程中，选中的页区域会因为编程验证失败做编程写0，没选中的因为编程验证通过写1。
71.然后通过这种控制逻辑，在我们发自动编程控制的指令后，就可以选出整个flash存储器芯片要做编程和不做编程的页区域，并且自动把每个页下的存储单元的偶数位线写0，奇数位线写1，最终实现整个芯片相邻位线对应的存储单元数据01交叉的棋盘格数据形式。
72.基于写数据模式初始化页数据缓冲器，具体包括：
73.读取选页使能信号，生成页数据缓冲器输出数据的逻辑控制信号；
74.其中逻辑控制信号配置为使得页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作以实现目标存储单元的写0或写1，具体为：
75.当页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作使得目标存储单元编程验证通过时，目标存储单元写1，否则目标存储单元写0。
76.在本实施例中的页数据缓冲器具体结构如图5所示，包括sram模块、验证逻辑模块、sram控制逻辑模块和冗余阵列逻辑模块；
77.顺次分页执行自动编程验证操作直至所有页全部执行完毕，其中自动编程验证操作包括页编程验证以及验证失败后重复进行的页编程和页编程后验证动作，其中自动编程验证操作具体包括：
78.对页存储单元进行编程验证；
79.若验证通过则进行尾页判断：若该页为尾页则自动编程验证操作结束，否则页地址加1，继续对下一页执行自动编程验证操作；
80.若验证不通过则顺次对该页执行编程操作和编程后验证操作，若编程后验证通过则执行所述尾页判断的步骤，否则重复执行本步骤。
81.举例说明上述操作：
82.首先电路内部电荷泵先启动，输出编程验证需要的各种电压，然后将页数据缓冲器里面sram存储的数据读取出来作为比较基准，下一步flash电路从首地址译码开始，选中的主阵列里面的存储单元的字线加电荷泵产生的编程验证电压，存储单元阱区和源端接地，存储单元的漏端加读的电压，将flash存储器主阵列存储单元里面的一组数据通过灵敏放大器中读出来并且用锁存器将数据锁住；
83.再将页数据缓冲器里面取出来的数据和从flash存储器主阵列存储单元里面读取出来的一组数据进行比较得到一组验证结果并生成一个”比较一致”信号，如果编程验证通过，”比较一致”信号为1，地址自加到下一组地址做编程验证，如果编程验证没通过，”比较一致”信号为0，由这个信号再去控制状态机跳转去做编程操作，同时将验证结果回写到页数据缓冲器里面；
84.在上述页编程验证和页编程后验证动作中均包括：
85.读取选中的目标阵列存储单元中的数据，并与页数据缓冲器输出的数据进行比对验证，若验证通过则顺次进行在后阵列存储单元验证，否则将验证结果回传至页数据缓冲器，并对当前选中的目标阵列存储单元执行编程操作；
86.其中，对选中的目标阵列存储单元执行编程验证时同步对未选中的阵列存储单元执行以下操作：
87.将未选中的阵列存储单元阱区和源端接地；
88.若未选中的阵列存储单元与目标阵列存储单元属于同一块，则将其字线接入负压；否则将其字线接0；为了进一步说明该操作，举例如下：
89.选中的flash存储器的主阵列存储单元(也即目标阵列存储单元)编程验证阶段操作如上，接着对未选中的阵列存储单元做如下处理，首先flash存储器未选中的阵列存储单元分为两部分，第一部分是和选中的做编程验证主阵列存储单元属于同一个大块(big block)的其它主阵列存储单元，这部分主阵列存储单元的字线加小负压。这个小负压作用是保证在进行编程验证的过程中选中的存储单元读取得数据更准确，因为flash存储器的阵列在y方向上挂在同一根位线上面的属于不同字线的存储单元会存在漏电，通常是在na级别，如果同一根位线上的属于不同字线的存储单元都存在漏电，它们叠加起来的电流也可以达到ua级别，这样会影响我们编程验证的准确性，所以我们给未选中的阵列存储单元l的字线加小负压，让管子关的更彻底来减小编程验证的漏电电流。而第二部分是和选中的做编程验证的主阵列存储单元不属于同一个big block的主阵列存储单元，这部分存储单元的字线加0伏电压，因为这些存储单元的漏电电流叠加并不影响当前正在做编程验证的存储单元的电流，所以字线加0伏电压。而以上提到的两部分的未选中的主阵列存储单元它们的阱区和源端接地。
90.编程验证结束后，当”比较一致”信号为0，表示编程验证不通过，接着“比较一致”信号会传去控制状态机跳转到编程状态，在编程操作过程中，当前编程验证不通过的地址对应的主阵列存储单元会去做编程操作，字线上加由内部正电荷泵产生的编程正高压，存储单元阱区和源端接地，而存储单元的漏端的电压又由上一步回写到页数据缓冲器的数据决定，将页数据缓冲器里面回写的数据中取出来后通过控制逻辑电路去控制主阵列存储单元的漏传编程小正压，回写的数据中需要做编程操作的cell drain端加编程小正压写0，验证通过的主阵列存储单元不做操作。
91.如图4所示在本实施例中的若验证不通过则顺次对该页执行编程操作和编程后验证操作还包括：
92.若验证不通过，则执行冗余阵列存储单元地址匹配判断操作：
93.若匹配通过，则冗余阵列存储单元同步该页主阵列存储单元执行编程操作和编程后验证操作；否则仅对该页主阵列存储单元执行编程操作和编程后验证操作。
94.采用此种操作是因为flash主阵列存储单元里面的存储单元可能由于制造工艺的原因导致出现一些编程不上去的失效位，这时我们需要设计冗余阵列单元来替换这些失效的存储单元，使得下次读取失效地址存储单元位的数据的时候，直接映射到冗余阵列单元里面的相应位单元。为了实现这一点本实施例将利用自动编程验证同步进行冗余阵列中的存储单元做编程以及编程后验证操作，然后在测试过程中读出冗余阵列里面的数据进行检验，进一步说明如下：
95.flash存储器里面的冗余阵列存储单元的字线跟主阵列存储单元的字线共用，只在位线方向有所增减，所以冗余阵列存储单元的地址解码和读通路可以复用主阵列的逻辑电路，提高了设计的灵活性；
96.在主阵列存储单元做编程验证的过程中，冗余阵列的存储单元不参与编程验证，在本实施例中电路只有在电路已经发生冗余阵列的存储单元替换主阵列存储单元后才参
与编程验证；
97.在做编程的过程中，因为冗余阵列存储单元和主阵列存储单元共用字线，所以它们的字线上加相同的编程电压，阱区和源端接地，而冗余阵列存储单元漏端的高压传输逻辑做了特殊处理，通过设计电路把选页的使能控制信号和记录冗余阵列存储单元的地址位信号做一个逻辑与得到一个控制冗余阵列存储单元做编程的冗余阵列编程使能信号，并且加一个多路选择器控制电路在做自动快速编程时用这个使能信号去打开flash电路冗余阵列存储单元的位线传做编程的小正压的path(小路)通路。
98.基于以上的逻辑设计，主阵列存储单元的地址在自加的过程中自加到记录冗余阵列存储单元的地址位的时候会带着冗余阵列一起做自动快速编程的操作，且在随着做主阵列存储单元的自动编程一直到尾地址结束的时候，保证冗余阵列做编程的数据和主阵列同型，例如同步为01交叉的棋盘格数据格式。
99.在本实施例中所述自动编程验证操作还包括：
100.设置页编程计数器，当编程后验证不通过时计数加一，若此时编程计数器数值小于预设值，则对当前页重复执行编程操作和编程后验证操作直至编程后验证通过，否则记录当前页地址信息并执行所述尾页判断的步骤。
101.上述步骤具体而言即为：在编程结束以后再进行一次当前地址的编程后验证操作，如果编程后验证通过，则表示当前地址的存储单元编程成功，接下来进行下一步骤的尾页地址判断操作，如果编程后验证不通过，则需要返回上一步骤继续进行编程并且编程次数加1，重复上述编程操作直到验证当前页地址的编程都成功。如果编程计数到最大次数，依然不通过编程后验证，则记录当前地址信息跳过当前地址继续往下做编程验证。
102.在本实施例中，前述步骤中验证当前地址是否为全页的最后一页，当确认当前地址为最后一页地址，做完该页地址的自动快速编程后整个操作流程结束。如果当前地址不是最后一页，则按页地址自加继续做下一页的编程验证-编程-编程后验证的循环操作，一直到全页尾地址验证通过结束。
103.实施例2
104.如图8所示，本实施例提供基于自动快速编程的flash存储器测试系统，包括预处理模块，页编程验证模块和编程模块，其中，
105.预处理模块配置成用于执行：
106.对存储器阵列单元执行擦除操作；
107.生成并读取测试配置指令；
108.预处理写数据模式，包括全零数据模式或棋盘格数据模式中的一种或几种；
109.以及基于写数据模式初始化页数据缓冲器；
110.页编程验证模块和编程模块配置为用于顺次分页执行自动编程验证操作直至所有页全部执行完毕，其中自动编程验证操作包括页编程验证以及验证失败后重复进行的页编程和页编程后验证动作。
111.实施例3
112.本实施例提供一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，所述计算机指令用于使所述计算机执行如实施例1所述的基于自动快速编程的flash存储器测试方法。
113.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在
不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
114.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
技术特征：
1.一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，包括：对存储器阵列单元执行擦除操作；生成并读取测试配置指令；预处理写数据模式，包括全零数据模式或棋盘格数据模式中的一种或几种；基于写数据模式初始化页数据缓冲器；顺次分页执行自动编程验证操作直至所有页全部执行完毕，其中自动编程验证操作包括页编程验证以及验证失败后重复进行的页编程和页编程后验证动作。2.根据权利要求1所述的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，所述预处理写数据模式包括基于配置指令生成选页使能信号；所述全零数据模式为阵列存储单元写全0数据模式；所述棋盘格数据模式包括正棋盘格数据模式和反棋盘格数据模式，其中正棋盘格数据模式为偶数位线上的存储单元写0，奇数位线上的存储单元写1，反棋盘格数据模式为偶数位线上的存储单元写1，奇数位线上的存储单元写0。3.根据权利要求1所述的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，所述自动编程验证操作具体包括：对页存储单元进行编程验证；若验证通过则进行尾页判断：若该页为尾页则自动编程验证操作结束，否则页地址加1，继续对下一页执行自动编程验证操作；若验证不通过则顺次对该页执行编程操作和编程后验证操作，若编程后验证通过则执行所述尾页判断的步骤，否则重复执行本步骤。4.根据权利要求3所述的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，所述自动编程验证操作还包括：设置页编程计数器，当编程后验证不通过时计数加一，若此时编程计数器数值小于预设值，则对当前页重复执行编程操作和编程后验证操作直至编程后验证通过，否则记录当前页地址信息并执行所述尾页判断的步骤。5.根据权利要求2所述的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，所述基于写数据模式初始化页数据缓冲器，具体包括：读取选页使能信号，生成页数据缓冲器输出数据的逻辑控制信号；所述逻辑控制信号配置为使得页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作以实现目标存储单元的写0或写1。6.根据权利要求5所述的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，所述页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作以实现目标存储单元的写0或写1具体包括：当页数据缓冲器输出的数据匹配自动编程验证操作使得目标存储单元编程验证通过时，目标存储单元写1，否则目标存储单元写0。7.根据权利要求3所述的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，所述若验证不通过则顺次对该页执行编程操作和编程后验证操作还包括：若验证不通过，则执行冗余阵列存储单元地址匹配判断操作：若匹配通过，则冗余阵列存储单元同步该页主阵列存储单元执行编程操作和编程后验
证操作；否则仅对该页主阵列存储单元执行编程操作和编程后验证操作。8.根据权利要求1所述的一种基于自动快速编程的flash存储器测试方法，其特征在于，所述页编程验证和页编程后验证动作均包括：读取选中的目标阵列存储单元中的数据，并与页数据缓冲器输出的数据进行比对验证，若验证通过则顺次进行在后阵列存储单元验证，否则将验证结果回传至页数据缓冲器，并对当前选中的目标阵列存储单元执行编程操作；其中，对选中的目标阵列存储单元执行编程验证时同步对未选中的阵列存储单元执行以下操作：将未选中的阵列存储单元阱区和源端接地；若未选中的阵列存储单元与目标阵列存储单元属于同一块，则将其字线接入负压；否则将其字线接0。9.一种基于自动快速编程的flash存储器测试系统，其特征在于，包括预处理模块，页编程验证模块和编程模块，其中，所述预处理模块配置成用于执行：对存储器阵列单元执行擦除操作；生成并读取测试配置指令；预处理写数据模式，包括全零数据模式或棋盘格数据模式中的一种或几种；以及基于写数据模式初始化页数据缓冲器；所述页编程验证模块和编程模块配置为用于顺次分页执行自动编程验证操作直至所有页全部执行完毕，其中自动编程验证操作包括页编程验证以及验证失败后重复进行的页编程和页编程后验证动作。10.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机指令用于使所述计算机执行权利要求1-8中任一项所述的基于自动快速编程的flash存储器测试方法。
技术总结
本发明涉及存储器技术领域，公开了一种基于自动快速编程的Flash存储器测试方法、系统及存储介质，其中测试方法包括对存储器阵列单元执行擦除操作、生成并读取测试配置指令、预处理写数据模式、基于写数据模式初始化页数据缓冲器、顺次分页执行自动编程验证操作直至所有页全部执行完毕，其中自动编程验证操作包括页编程验证以及验证失败后重复进行的页编程和页编程后验证动作化；本发明具有多重测试功能，能够有效节约测试的时间，大大提高了Flash存储器的测试效率，有切实意义上的实用价值。有切实意义上的实用价值。有切实意义上的实用价值。
