线路基板与拼接电子装置的制作方法
1.本揭露的实施例涉及一种基板与电子装置，尤其涉及一种线路基板与多个线路基板彼此拼接而成的拼接电子装置。
背景技术
：：：2.在一般显示电子装置中，驱动电路为重要的驱动元件。但目前的驱动元件都是设置在线路基板两侧的边框区，会占据电子装置两侧的边框空间，让边框具有相当的宽度，而不利于窄边框、极窄边框或无边框的显示电子装置设计。因此，电子装置的研发须持续更新与调整。技术实现要素：3.本揭露是针对一种线路基板，其可提供大型拼接显示的技术。4.本揭露是针对一种拼接电子装置，其具有良好显示质量或显示效果。5.根据本揭露的实施例，显示装置包括基板、第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第一金属层设置于基板上，包括沿着第一方向延伸的第一连接线与第二连接线，以及沿着第二方向延伸的第一扫描线与第二扫描线。第一连接线电性连接第一扫描线。第二连接线电性连接第二扫描线。第二扫描线包括两个分离的线段，分别位于第一连接线的相对两侧。第二金属层设置于基板上，包括沿着第一方向延伸的第一数据线。第一数据线重叠第一连接线。第三金属层设置于基板上，包括沿着第二方向延伸的桥接线。桥接线电性连接第二扫描线的两个分离的线段。第二金属层设置于第一金属层与第三金属层之间。6.根据本揭露的实施例，拼接电子装置包括多个上述的线路基板，且多个线路基板彼此拼接。多个线路基板的数量为2乘以n个，且n为正整数。7.基于上述，在本揭露一实施例的线路基板及多个线路基板拼接构成的拼接电子装置中，由于线路基板的栅极驱动电路与数据驱动电路可设置于基板的相同侧并通过连接线连接扫描线，因此提供扫描信号的栅极驱动电路与提供数据信号的数据驱动电路可集中设置于基板的相同侧的周边区中。如此一来，线路基板的显示区的穿透率可被提升或可提供透明显示技术。另外，由于驱动电路被集中于线路基板的相同侧，因此多个线路基板在拼接时，多个显示区可邻近地拼接而提供窄边框、极窄边框或无边框拼接的大型显示拼接技术。藉此，线路基板及多个线路基板拼接构成的拼接电子装置具有良好显示质量或显示效果。附图说明8.图1为本揭露一实施例的线路基板的线路俯视示意图；9.图2为本揭露一实施例的线路基板的局放大俯视示意图；10.图3为图2的线路基板沿剖面线a-a’的剖面示意图；11.图4为图2的线路基板沿剖面线b-b’的剖面示意图；12.图5为本揭露一实施例的线路基板的主动元件与发光元件的剖面示意图；13.图6为本揭露一实施例的线路基板的剖面示意图；14.图7为本揭露另一实施例的线路基板的剖面示意图；15.图8为本揭露一实施例的拼接电子装置的俯视示意图。具体实施方式16.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。17.本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。18.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。19.应当理解到，当组件或膜层被称为“连接至”另一个组件或膜层时，它可以直接连接到此另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层。当组件被称为“直接连接至”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性连接)到此另一构件。20.术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。21.本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。22.本揭露说明书内的“第一”、“第二”...等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”是用于与“第二元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”区隔，而非用于限定顺序或特定元件、部件、区域、层和/或部分。23.根据本揭露实施例，可使用光学显微镜(opticalmicroscopy，om)、扫描式电子显微镜(scanningelectronmicroscope，sem)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量各元件的宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距，但不以此为限。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包含欲测量的元件的剖面结构图像，并测量各元件的宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距，并通过合适的方法(例如:积分)获得元件体积。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。24.电子装置通过本揭露实施例的发光模块或发光装置可具有较好的接合质量，其中电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、拼接装置或透明显示装置，但不以此为限。电子装置可为可卷曲、可拉伸、可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquidcrystal)、发光二极管(lightemittingdiode，led)、量子点(quantumdot，qd)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材且其材料可任意排列组合或其他适合的显示介质，或前述的组合；发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)、毫米/次毫米发光二极管(miniled)、微发光二极管(microled)或量子点发光二极管(quantumdot，qd，可例如为qled)，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以线路基板或拼接电子装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。25.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。26.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。27.图1为本揭露一实施例的线路基板的线路俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图1省略示出了若干元件。请参考图1，在本揭露的一实施例中，线路基板10例如为主动式元件基板、被动式元件基板、印刷线路板(printedcircuitboard，pcb)、覆晶薄膜(chiponfilm，cof)或其他任何类型的线路板(circuitboard)。在一些实施例中，线路基板10包括基板100与设置于基板100上的多层金属层经图案化的线路以及驱动电路(包括栅极驱动电路170与数据驱动电路160)。多层金属层包括第一金属层m1、第二金属层m2以及第三金属层m3(如图2、图3或图4所示)。第一金属层m1包括沿着第一方向(又称为y轴)延伸的第一连接线cl1与第二连接线cl2。第一金属层m1还包括沿着第二方向(又称为x轴)延伸的第一扫描线sl1与第二扫描线sl2。在本揭露的实施例中，第一方向垂直于第二方向(y轴垂直于x轴)，且第三方向(如图3或图4所示的z轴，其为基板100的法线方向)垂直于第一方向或第二方向。第一连接线cl1电性连接第一扫描线sl1，且第二连接线cl2电性连接第二扫描线sl2。在一些实施例中，第二金属层m2包括沿着第一方向延伸的第一数据线dl1。在一些实施例中，线路基板10上还可设置多个发光元件300(如图5所示)电性连接至数据线、扫描线及驱动电路。如图1所示，本揭露的一实施例的线路基板10的栅极驱动电路170与数据驱动电路160可设置于基板100的相同侧。如此一来，提供扫描信号的栅极驱动电路170与提供数据信号的数据驱动电路160可集中设置于基板100的相同侧的周边区ba(又称为非显示区)中，因此线路基板10的显示区aa的穿透率可被提升或可提供透明显示技术。另外，由于驱动电路被集中于线路基板10的相同侧(如图8所示)，因此多个线路基板10在拼接时，多个显示区aa可邻近地拼接而提供窄边框、极窄边框或无边框拼接的大型显示拼接技术。藉此，线路基板10及多个线路基板10拼接构成的拼接电子装置1(如图8所述)具有良好显示质量或显示效果。28.详细来说，线路基板10可以是显示面板的阵列(matrix)基板或背板，且线路基板10与发光元件300构成显示面板。显示面板可以包括液晶显示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)、有机发光二极管显示面板(organiclightemittingdiode，oled)、微型化发光二极管显示面板(micro-leddisplay)、次毫米发光二极管显示面板(mini-leddisplay)、量子点发光二极管显示面板(quantumdotleddisplay)或电子纸显示器(electronicpaperdisplay，epd)。在一些实施例中，线路基板10例如是应用发光二极管技术的显示面板。线路基板10例如为可挠式、可拉伸式或硬式显示面板。基板100包括硬性基板、可挠性基板或前述的组合。举例来说，基板100包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、丙烯酸系树脂(acrylicresin)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)、其它合适的透明材料、或前述的组合，但不以此为限。29.在本揭露的实施例中，线路基板10的多层金属层可构成像素电路。像素电路可通过连接多个薄膜晶体管(thin-filmtransistor，tft)以组成主动式元件阵列(activematrix)。在一些实施例中，线路基板10具有周边区ba与显示区aa。周边区ba设置于显示区aa的其中一侧。举例来说，周边区ba可设置于显示区aa的第一侧11，且位于显示区aa外。显示区aa可定义为主动式元件阵列设置于基板100上的区域，并应用为显示图像的区域。周边区ba可定义为显示区aa以外未设置主动式元件阵列的区域，并用以设置周边电路或驱动电路。30.在一些实施例中，线路基板10的像素电路也可不连接薄膜晶体管而组成阵列。在上述的设置下，像素电路可称为被动式元件阵列(passivematrix)。具有被动式元件阵列的区域仍可称为显示区，并用于显示图像。31.本揭露实施例的线路基板100可应用于电子装置中，其中电子装置包括行动装置、数字相机(digitalcamera)、行动计算机(portablecomputer)、台式计算机(tabletopcomputer)、电视(television)、汽车用显示器、可携式光盘拨放器(portablecdplayer)、拼接式面板、户外大型显示器或任合包括图像显示功能的装置，但不以此为限。32.如图1所示，多个驱动电路与多条线路设置于基板100上。数据驱动电路160与栅极驱动电路170分别沿着第二方向(即x轴)延伸地设置于周边区ba中，并靠近显示区aa的第一侧11设置，但不以此为限。在其他实施例中，周边区ba可位于显示区aa的任何一个侧边。在一些实施例中，栅极驱动电路170可设置于数据驱动电路160与显示区aa之间，但不以此为限。在另一些实施例中，数据驱动电路160可设置于栅极驱动电路170与显示区aa之间。数据驱动电路160可提供数据信号，并通过像素电路或元件阵列传递至发光元件300。栅极驱动电路170可提供扫描信号，并通过像素电路或元件阵列以驱动发光元件300以显示图像。33.多条数据线dl1、dl2电性连接数据驱动电路160，并沿着第一方向(即y轴)自周边区ba延伸进入显示区aa。多条数据线包括第一数据线dl1与第二数据线dl2。第一数据线dl1与第二数据线dl2在第二方向(即x轴)上平行地排列。从另一角度来说，第一数据线dl1与第二数据线dl2是在线路基板10的纵向上排列成多个直列。在一些实施例中，第一数据线dl1与第二数据线dl2可分别重叠并跨越栅极驱动电路170，但不以此为限。在此需注意的是，图1仅示意性地示出了五条数据线，但本揭露的数据线数量依设计需求而定，不以所示数量为限。举例来说，数据线的数量可以为单条或多条，包括少于五条或多于五条。在一些实施例中，第一数据线dl1与第二数据线dl2例如是经由第二金属层m2图案化所形成。第二金属层m2的材料可包括钼(molybdenum，mo)、钛(titanium,ti)、钽(tantalum，ta)、铌(niobium，nb)、铪(hafnium，hf)、镍(nickel，ni)、铬(chromium，cr)、钴(cobalt，co),、锆(zirconium，zr)、钨(tungsten，w)、铝(aluminum，al)、银(silver，ag)、金(aurum，au)或其他合适的金属、或上述材料的合金或组合，但不以此为限。34.多条扫描线sl1、sl2设置于显示区aa中，并沿着第二方向(即x轴)于显示区aa中延伸。多条扫描线包括第一扫描线sl1与第二扫描线sl2。第一扫描线sl1与第二扫描线sl2在第一方向(即y轴)上平行地排列。从另一角度来说，第一扫描线sl1与第二扫描线sl2是在线路基板10的横向上排列成多个横行。在一些实施例中，第一扫描线sl1与第二扫描线sl2可交错或横跨第一数据线dl1与第二数据线dl2，但不以此为限。在此需注意的是，图1仅示意性地示出了五条扫描线，但本揭露的扫描线数量依设计需求而定，不以所示数量为限。举例来说，扫描线的数量可以为单条或多条，包括少于五条或多于五条。在一些实施例中，第一扫描线sl1与第二扫描线sl2例如是经由第一金属层m1图案化所形成。第一金属层m1的材料可相似于第二金属层m2的材料，故不再赘述。35.在一些实施例中，第一金属层m1还可图案化形成多条连接线cl1、cl2沿着第一方向延伸。具体来说，第一连接线cl1与第二连接线cl2电性连接栅极驱动电路170，并沿着第一方向(即y轴)自周边区ba延伸进入显示区aa。第一连接线cl1与第二连接线cl2在第二方向(即x轴)上平行地排列。在一些实施例中，连接线重叠数据线。举例来说，第一数据线dl1重叠第一连接线cl1。第二数据线dl2重叠第二连接线cl2。在此需注意的是，图1为了附图清楚以及方便说明，而将第一连接线cl1与第一数据线dl1的线路图示出为两条不重叠的线路。然而，依据设计的需求，第一数据线dl1可以重叠第一连接线cl1。第二数据线dl2可以重叠第二连接线cl2。在另一些实施例中，第一数据线dl1也可以不重叠第一连接线cl1而横向隔开(laterallyseparated)。在本揭露的实施例中，重叠可定义为一元件在基板100上的正投影重叠于另一元件在基板100上的正投影。在上述的设置下，相似于第一数据线dl1与第二数据线dl2，第一连接线cl1与第二连接线cl2可在线路基板10的纵向上排列成多个直列。在此需注意的是，图1仅示意性地示出了五条连接线，但本揭露的连接线数量依设计需求而定，不以所示数量为限。举例来说，连接线的数量可以为单条或多条，包括少于五条或多于五条。36.值得注意的是，在显示区aa中，第一连接线cl1电性连接第一扫描线sl1，第二连接线cl2电性连接第二扫描线sl2。藉此，栅极驱动电路170可通过第一连接线cl1与第二连接线cl2，以分别电性连接至第一扫描线sl1与第二扫描线sl2。藉此，栅极驱动电路170可通过第一连接线cl1与第二连接线cl2以分别将所提供的扫描信号输入至第一扫描线sl1与第二扫描线sl2。如此一来，扫描信号沿着第一扫描线sl1与第二扫描线sl2在第二方向(x轴)上传递。此外，数据驱动电路160可通过电性连接至第一数据线dl1与第二数据线dl2，以分别将所提供的数据信号输入至第一数据线dl1与第二数据线dl2。如此一来，数据信号沿着第一数据线dl1与第二数据线dl2在第一方向(y轴)上传递。在上述的设置下，在位于显示区aa第一侧11的周边区ba中的数据驱动电路160与栅极驱动电路170，可在基板100的相同侧对显示区aa中的像素电路或元件阵列的薄膜晶体管进行驱动，以使显示区aa中连接至薄膜晶体管的发光元件300(如图5所示)显示图像。由于驱动电路设置于显示区aa外，因此线路基板10的显示区aa的穿透率可被提升或可提供透明显示技术。另外，由于驱动电路被集中于线路基板10的相同侧，因此可以减少周边区ba的设置而达成窄边框、极窄边框或无边框的设计。此外，在多个线路基板10在拼接时，多个显示区aa可邻近地拼接而提供窄边框、极窄边框或无边框拼接的大型显示拼接技术。藉此，线路基板10具有良好显示质量或显示效果。37.以下将进一步地以线路基板10的线路的局部放大示意图来说明线路与薄膜晶体管的配置结构。38.图2为本揭露一实施例的线路基板的局放大俯视示意图。图3为图2的线路基板沿剖面线a-a’的剖面示意图。图4为图2的线路基板沿剖面线b-b’的剖面示意图。图5为本揭露一实施例的线路基板的主动元件与发光元件的剖面示意图。图6为本揭露一实施例的线路基板的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图2至图6省略示出了若干元件。请先参考图2、图3及图4。图2、图3及图4所示的约为图1的区域b的局部放大结构。在一些实施例杂轰，多层绝缘层与薄膜晶体管tft设置于基板100上。详细来说，薄膜晶体管ftf包括半导体层se、栅极g、源极s与漏极d。在一些实施例中，半导体层se设置于基板100上。在另一些实施例中，缓冲层可设置于半导体层se与基板100之间，但不以此为限。半导体层se的材料例如是低温多晶硅(lowtemperaturepolysilicon，ltps)或非晶硅(amorphoussilicon)，但不以此为限。在其他的实施例中，半导体层se的材料包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、锗(ge)或其他合适的化合物半导体或其他合适的合金半导体。化合物半导体，可包括氮化镓(gan)、碳化硅(sic)、砷化镓(gaas)、磷化镓(gap)、磷化铟(inp)、砷化铟(inas)和/或锑化铟(insb)。合金半导体可包括硅锗(sige)合金、砷化镓磷化物(gaasp)合金、铝铟砷化物(alinas)合金、铝砷化镓(algaas)合金、镓铟砷化物(gainas)合金、磷化镓铟(gainp)合金、镓铟砷磷化物(gainasp)合金或前述的组合。在另一些实施例中，半导体层se的材料还包括碲化镉(cdte)或硫化镉(cds)。半导体层se的材料亦可包含但不限于金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(igzo)、铟锌氧化物(izo)、铟镓锌氧化物(igzto)、或包含多环芳香族化合物的有机半导体、或前述的组合。在一些实施例中，半导体层se可掺杂有p型或n型掺杂剂。39.如图3、图4及图5所示，多层绝缘层110、120、130、140、150设置于半导体层se上。举例来说，栅绝缘层110设置并覆盖于半导体层se上。栅绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、绝缘层150可以为单层或多层结构，其材料包含有机材料、无机材料或前述的组合。所述有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚乙烯(polyethylene，pe)、聚醚砜(polyethersulfone，pes)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、感光型聚酰亚胺(photosensitivepolyimide，pspi)或前述的组合，而所述无机材料可包含氮化硅(sinx)、氧化硅(sioy)、氮氧化硅或前述的组合，但不以此为限。40.栅极g设置于栅绝缘层110上。栅极g例如是经由第五金属层图案化所形成的图案，但不以此为限。第五金属层或栅极g的材料可与第一金属层m1的材料相似，故于此不再赘述。41.绝缘层120设置于栅极g上，绝缘层130设置于绝缘层120上，绝缘层120与绝缘层130可被导电通孔v3贯穿(请参考图5及图6)，但不以此为限。在本揭露的实施例中，贯穿绝缘层120与绝缘层130的导电通孔v3即表示绝缘层120与绝缘层130具有导电通孔v3。于本文后续的段落中，其他的导电通孔的定义亦与上述导电通孔v3的定义相似并以此类推，故于后续段落中不再赘述。42.源极s与漏极d设置于绝缘层130上。源极s与漏极d例如是经由第四金属层图案化所形成的图案，但不以此为限。如图5所示，源极s与漏极d可分别包括接垫部136s/136d与连接接垫部136s/136d的通孔部(示出于图5中，通孔部138s/138d)。接垫部136s/136d形成于绝缘层120的表面上。通孔部138s/138d的部分可贯穿栅绝缘层110与绝缘层120以电性连接至半导体层se，但不以此为限。第四金属层或源极s与漏极d的材料可与第一金属层m1的材料相似，故于此不再赘述。43.如图2、图3、图4及图5所示，线路基板10还包括第三金属层m3设置于基板100上。具体来说，第三金属层m3包括沿着第二方向延伸的桥接线bl设置于绝缘层130上。桥接线bl包括接垫部146与连接接垫部146的通孔部148。上述接垫部146形成于绝缘层130的表面上。如图2、图3与图5所示，桥接线bl的通孔部148例如包括贯穿绝缘层120与绝缘层130的导电通孔v3。通孔部148的部分(即：导电通孔v3)贯穿绝缘层120与绝缘层130以电性连接至第五金属层的栅极g。在一些实施例中，导电通孔v3可由桥接线bl的通孔部148与第四金属层图案化的导电通孔v3’构成，以使桥接线bl通过第四金属层连接至栅极g，但不以此为限。如图2、图4及图5所示，桥接线bl可通过贯穿绝缘层130的导电通孔v5(即：通孔部148)以电性连接至薄膜晶体管tft的源极s。如图5所示，桥接线bl可通过贯穿绝缘层130的导电通孔v5’(即：通孔部148)以电性连接至薄膜晶体管tft的漏极d。第三金属层m3或桥接线bl的材料可与第一金属层m1的材料相似，故于此不再赘述。在上述的设置下，第三金属层m3的桥接线bl可用于将来自扫描线或数据线的扫描信号或数据信号输入至薄膜晶体管tft，藉以驱动薄膜晶体管tft。如此一来，薄膜晶体管tft、扫描线与数据线的布线设计可以更有裕度。44.绝缘层140设置于绝缘层130上并覆盖第三金属层m3或桥接线bl。绝缘层140具有多个贯穿绝缘层140的导电通孔。45.第二金属层m2设置于基板100上。具体来说，第二金属层m2包括沿着第一方向(即y轴)延伸的第一数据线dl1与沿着第二方向(即x轴)延伸的辅助扫描线al设置于绝缘层140上。如图2、图4及图5所示，第一数据线dl1可通过贯穿绝缘层140的导电通孔v4以电性连接桥接线bl。藉此，第一数据线dl1可通过桥接线bl电性连接至薄膜晶体管tft，以输入数据信号。如图2、图3及图5所示，辅助扫描线al可包括两个分离的线段，而分别设置于第一数据线dl1的相对两侧。辅助扫描线al横向地与第一数据线dl隔离。辅助扫描线al可通过贯穿绝缘层140的导电通孔v2以电性连接桥接线bl。藉此，桥接线bl电性连接辅助扫描线al的两个分离的线段，以使两个分离的线段可通过桥接线bl以横跨第一数据线dl1。在本揭露的实施例中，横跨可定义为在基板100法线方向(即z轴)上位于不同水平高度的两个元件彼此交错。举例来说，桥接线bl位于第一数据线dl1下，且桥接线bl由第一数据线dl1的一侧延伸至另一侧。如此一来，辅助扫描线al的两个分离的线段可彼此电性连接。另外，辅助扫描线al与扫描线可通过桥接线bl电性连接至薄膜晶体管tft的栅极g，以输入扫描信号。在一些实施例中，连接两层金属层之间的导电通孔可以为一个或多个密集设置的导电通孔，但不以此为限。多个密集设置的导电通孔可以增加导电通孔的体积，以提升电路的可靠性及电性质量。第二金属层m2的材料可与第一金属层m1的材料相似，故于此不再赘述。46.请参考图5，在一些实施例中，第二金属层m2还可包括线路142与导电通孔144。线路142与连接线路142的导电通孔144可以属于设置于绝缘层140的线路层。线路142设置于绝缘层140的表面上以应用为接垫部，而导电通孔144贯穿绝缘层140以将线路142电性连接至桥接线bl的接垫部。47.绝缘层150设置于绝缘层140上并覆盖第二金属层m2的第一数据线dl1、辅助扫描线al、或线路152。绝缘层150具有多个贯穿绝缘层150的导电通孔。48.第一金属层m1设置于基板100上。具体来说，第一金属层m1包括沿着第一方向(即y轴)延伸的第一连接线cl1与沿着第二方向(即x轴)延伸的第二扫描线sl2设置于绝缘层150上。也就是说，第二金属层m2设置于第一金属层m1与第三金属层m3之间。图2、图3及图4所示局部放大线路及其剖面例如为图1的区域b中的线路。区域b所示的是第一连接线cl1交错于第二扫描线sl2的走线结构。于第三方向(z轴)上，第一连接线cl1重叠第一数据线dl1。于第三方向(z轴)上，第二扫描线sl2重叠辅助扫描线al。第二扫描线sl2包括两个分离的线段，分别位于第一连接线cl1的相对两侧。第二扫描线sl2横向地与第一连接线cl1隔离。第二扫描线sl2可通过贯穿绝缘层150的导电通孔v1以电性连接辅助扫描线al。藉此，第二扫描线sl2可通过辅助扫描线al与桥接线bl电性连接至薄膜晶体管tft，以输入数据信号。此外，于第三方向(z轴)上，桥接线bl重叠第二扫描线sl2、第一连接线cl1、第一数据线dl1与辅助扫描线al。在上述的设置下，桥接线bl横跨第一连接线cl1或第一数据线dl1。桥接线bl通过导电通孔v1、辅助扫描线al与导电通孔v2电性连接第二扫描线sl2的两个分离的线段，以使两个分离的线段可通过桥接线bl以横跨第一数据线dl1与第一连接线cl1。49.请参考图2与图3，在一些实施例中，第二扫描线sl2与辅助扫描线al的外边缘可以切齐。换句话说，第二扫描线sl2与辅助扫描线al可以完全地重叠，但不以此为限。在一些实施例中，第二扫描线sl2与辅助扫描线al可以部分重叠。在上述的设置下，辅助扫描线al可以对应于扫描线的延伸方向延伸。辅助扫描线al电性连接所对应的扫描线可用于提升扫描线的导电体积或降低电阻，藉此可以降低电路的阻抗与电抗负载(rcloading)、提升线路基板10的电性质量。50.请参考图2、图3及图5，导电通孔v1可以重叠导电通孔v2。导电通孔v2可以重叠导电通孔v3。扫描线sl(例如第一扫描线sl1或第二扫描线sl2)可通过导电通孔v1、导电通孔v2与导电通孔v3的堆叠以电性连接至薄膜晶体管tft的栅极g。51.请参考图5，第一金属层m1还可包括线路152与导电通孔154。线路152与连接线路152的导电通孔154可以属于设置于绝缘层150的线路层。线路152设置于绝缘层150的表面上以应用为接垫部，而导电通孔154贯穿绝缘层150以将线路152电性连接至线路142。52.线路152例如应用为线路基板10最上层的接垫。举例来说，发光元件300设置于线路152上。发光元件300例如是发光二极管晶片，包括电极320、电极340及晶体310。晶体310例如包括第一型半导体层(例如n型掺杂的半导体层)、第二型半导体层(例如p型掺杂的半导体层)以及位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的发光层。换句话说，晶体310可以是pn发光二极管，但不以此为限。电极320电性连接线路152以通过桥接线bl连接至薄膜晶体管tft的漏极d。电极340电性连接至线路152’以连接至一电源或一接地电压准位。在上述的设置下，电极320例如为发光元件300的正极而电极340例如为负极。在一些实施例中，发光元件300例如是倒装式led(flipchipled)，但不以此为限。在其他实施例中，发光元件300包括垂直式led或正装式led，或其他合适类型的led封装。藉此，发光元件300可通过薄膜晶体管tft的开关以受栅极驱动电路170的扫描信号驱动，进而显示图像。53.在一些实施例中，可在设置发光元件300后，形成保护层190。保护层190设置于绝缘层150上并包覆线路152、电极320、电极340以及晶体310侧壁的部分，但不以此为限。系一些实施例中，保护层190也可以覆盖晶体310而将发光元件300的整体包封于保护层190中。保护层190可具有光学功能或保护功能，但不以此为限。保护层180的材料包括光学胶、模塑材料、环氧树脂或其他透明的材质，但不以此为限。保护层180可保护发光元件300并减少外界水气或氧气对发光元件300的损害。54.请参考图6，图6所示出的剖面例如是图1的区域a的局部放大结构。图6的区域a与图3的区域b的差异在于，第一连接线cl1连接第一扫描线sl1。具体来说，在第三方向(z轴)上，第一连接线cl1重叠第一数据线dl1。第一扫描线sl1与第一连接线cl1例如是一体成形地接合，使第一连接线cl1电性连接第一扫描线sl1。藉此，请参考图1及图6，沿着第一方向延伸的第一连接线cl1可将扫描信号输入至第一扫描线sl1后，再使扫描信号沿着第二方向延伸的第一扫描线sl1传递。55.如图6所示，第一扫描线sl1可通过贯穿绝缘层150的导电通孔v6电性连接至辅助扫描线al。辅助扫描线al包括两个分离的线段分别设置在第一数据线dl1的相对两侧。在第三方向(z轴)上，辅助扫描线al的至少部分重叠第一扫描线sl1。辅助扫描线al可通过贯穿绝缘层140的导电通孔v7电性连接至桥接线bl。辅助扫描线al与第一数据线dl1横向隔离。在一些实施例中，辅助扫描线al通过绝缘层150的隔离以电性绝缘于第一数据线dl1。桥接线bl的连接部146电性连接辅助扫描线al的两个分离的线段，以使辅助扫描线al可以横跨第一数据线dl1。桥接线bl可通过贯穿绝缘层120与绝缘层130的导电通孔v8(即：桥接线bl的通孔部148)电性连接至薄膜晶体管tft的栅极g。在上述的设置下，第一扫描线sl1可通过桥接线bl与导电通孔v6、v7、v8的堆叠电性连接薄膜晶体管tft。藉此，扫描信号可以自第一连接线cl1输入第一扫描线sl1。再通过导电通孔v6、v7、v8与桥接线bl输入薄膜晶体管tft。56.值得注意的是，本揭露一实施例的线路基板10的栅极驱动电路170与数据驱动线路160可设置在基板100的相同侧(例如靠近显示区aa的第一侧11)。栅极驱动电路170可通过在第一方向上延伸的第一连接线cl1连接至在第二方向上延伸的第一扫描线sl1，并通过在第一方向上延伸的第二连接线cl2连接至在第二方向上延伸的第二扫描线sl2。数据驱动线路160可连接至在第一方向上延伸的第一数据线dl1与第二数据线dl2。第一扫描线sl1与第二扫描线sl2可分别通过第一连接线cl1与第二连接线cl2接收并传递扫描信号。第一数据线dl1与第二数据线dl2可传递数据信号。如此一来，扫描信号与数据信号可在扫描线与数据线所构成的像素线路中对薄膜晶体管tft进行驱动。像素线路与薄膜晶体管tft所构成的元件阵列可基于扫描信号与数据信号对所连接的发光元件300进行驱动，以使显示区aa中的发光元件300显示图像。由于数据驱动电路160与栅极驱动电路170设置于显示区aa外，因此线路基板10的显示区aa的穿透率可被提升或可提供透明显示技术。另外，由于数据驱动电路160与栅极驱动电路170被集中于线路基板10的相同侧，因此可以减少周边区ba的设置而达成窄边框、极窄边框或无边框的设计。此外，在多个线路基板10在拼接时，多个显示区aa可邻近地拼接而提供窄边框、极窄边框或无边框拼接的大型显示拼接技术。藉此，线路基板10具有良好显示质量或显示效果。57.在一些实施例中，薄膜晶体管tft的半导体层se、栅极g以及源极s或漏极d可重叠第一扫描线sl1、第二扫描线sl2、第一数据线dl1或桥接线bl设置。如此一来，薄膜晶体管tft可被整合至像素线路，以降低另外设置遮光层的需求。藉此，线路基板10的显示区aa的穿透率可被增加。线路基板10可具有良好的显示质量或显示效果。58.以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。59.图7为本揭露另一实施例的线路基板的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图7省略示出了若干元件。本实施例的线路基板10a大致相似于图6的线路基板10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于线路基板10之处主要在于，第二金属层m2包括辅助扫描图案al’。辅助扫描图案al’为第二金属层m2经由图案化所形成的图案，其部分的图案重叠第一扫描线sl1，而不与第一扫描线sl1一样在第二方向(x轴)上延伸。辅助扫描图案al’设置于第一扫描线sl1与桥接线bl之间，以用于不同水平高度上的线路的转接，使扫描线与桥接线bl的布线设计有裕度。换句话说，辅助扫描图案al’是靠近导电通孔v6与导电通孔v7设置的图案，而不是沿着第一扫描线sl1的延伸方向重叠设置。在上述的设置下，线路基板10a可获致与上述实施例相似的优良技术效果。60.图8为本揭露一实施例的拼接电子装置的俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图8省略示出了若干元件。拼接电子装置1例如是应用拼接技术的大型拼接显示装置。拼接电子装置可以包括拼接式面板、户外大型显示器或任合包括图像显示功能的装置，但不以此为限。拼接电子装置1包括多个线路基板。每一个所述线路基板包括显示区aa以及位于显示区其中一侧的周边区ba。显示区aa中设置有像素电路或元件阵列，以及多个发光元件(例如发光元件300)以用于显示图像。周边区ba中设置有数据驱动电路160’、160”与栅极驱动电路170’、170”，以分别提供数据信号与扫描信号输入元件阵列中的薄膜晶体管，藉此驱动发光元件以在显示区aa中显示图像。61.详细来说，拼接电子装置1的多个线路基板至少包括线路基板10’与线路基板10”。线路基板10’与线路基板10”彼此拼接以构成一对拼接的线路基板。线路基板10’的数据驱动电路160’与栅极驱动电路170’设置于周边区ba中。线路基板10”的数据驱动电路160”与栅极驱动电路170”设置于周边区ba中。线路基板10’的显示区aa邻接线路基板10”的显示区aa，因此线路基板10’与线路基板10”是在显示区aa相对周边区ba的一侧进行拼接。在上述的设置下，线路基板10’的显示区aa与线路基板10”的显示区aa位于线路基板10’的周边区ba与线路基板10”的周边区ba之间。62.相似于上述的一对拼接的线路基板10’与线路基板10”，可以在第二方向(x轴)上拼接多对的拼接线路基板。以图8为例，可以在第二方向上设置共三对的线路基板而在第一方向(y轴)上拼接两个线路基板，而在第二方向上拼接三个线路基板。藉此，形成2x3个线路基板所拼接成的拼接电子装置1。在另一实施例中，也可以在第二方向上拼接两个线路基板，而在第一方向上拼接三个线路基板。藉此，形成3x2个线路基板所拼接成的拼接电子装置。63.在上述的设置下，拼接电子装置1例如是以2乘以n个数量的方式设置拼接出多个成对的线路基板。因此，多个线路基板的数量为2乘以n个，且n为正整数。以图8举例来说，n可以是3，如此一来可以得到2x3的总数共6个线路基板的排列方式。在其他实施例中，n可以是1、2、3、4、5或更大的正整数。如此一来，可以拼接出十数个、数十个或数百个的线路基板所构成的拼接电子装置。基于上述，多个线路基板10’、10”在拼接时，多个显示区aa可邻近地拼接而可提供窄边框、极窄边框或无边框拼接的大型显示拼接技术。藉此，多个线路基板10’、10”拼接构成的拼接电子装置1具有良好显示质量或显示效果。64.综上所述，在本揭露一实施例的线路基板及多个线路基板拼接构成的拼接电子装置中，由于线路基板的栅极驱动电路与数据驱动电路可设置于基板的相同侧。此外，栅极驱动电路可通过第一连接线与第二连接线以分别将所提供的扫描信号输入至第一扫描线与第二扫描线。数据驱动电路可将所提供的数据信号输入至第一数据线与第二数据线。如此一来，提供扫描信号的栅极驱动电路与提供数据信号的数据驱动电路可集中设置于基板的相同侧的周边区中。因此，线路基板的显示区的穿透率可被提升或可提供透明显示技术。另外，由于驱动电路被集中于线路基板的相同侧，因此多个线路基板在拼接时，多个显示区可邻近地拼接而提供窄边框、极窄边框或无边框拼接的大型显示拼接技术。藉此，线路基板及多个线路基板拼接构成的拼接电子装置具有良好显示质量或显示效果。65.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。当前第1页12当前第1页12
技术特征：
1.一种线路基板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，设置于所述基板上，所述第一金属层包括沿着第一方向延伸的第一连接线与第二连接线，以及沿着第二方向延伸的第一扫描线与第二扫描线，所述第一连接线电性连接所述第一扫描线，所述第二连接线电性连接所述第二扫描线，其中所述第二扫描线包括两个分离的线段，分别位于所述第一连接线的相对两侧；第二金属层，设置于所述基板上，所述第二金属层包括沿着所述第一方向延伸的第一数据线，所述第一数据线重叠所述第一连接线；以及第三金属层，设置于所述基板上，所述第三金属层包括沿着所述第二方向延伸的桥接线，所述桥接线电性连接所述第二扫描线的两个所述分离的线段；其中，所述第二金属层设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间。2.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，还包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路通过所述第一连接线与所述第二连接线以分别电性连接至所述第一扫描线与所述第二扫描线。3.根据权利要求2所述的线路基板，其特征在于，所述栅极驱动电路通过所述第一连接线与所述第二连接线分别将扫描信号输入至所述第一扫描线与所述第二扫描线。4.根据权利要求2所述的线路基板，其特征在于，还包括数据驱动电路，所述数据驱动电路电性连接至所述第一数据线，以将数据信号输入至所述第一数据线。5.根据权利要求4所述的线路基板，其特征在于，所述栅极驱动电路与所述数据驱动电路设置于所述基板的相同侧。6.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，所述第二金属层还包括沿着所述第二方向延伸的辅助扫描线，所述第一扫描线通过导电通孔电性连接所述辅助扫描线。7.根据权利要求6所述的线路基板，其特征在于，所述辅助扫描线重叠所述第一扫描线，且所述辅助扫描线电性绝缘于所述第一数据线。8.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，所述桥接线重叠所述第二扫描线与所述第一连接线，且所述桥接线横跨所述第一连接线或所述第一数据线。9.一种拼接电子装置，其特征在于，包括：多个如权利要求1所述的线路基板，所述多个线路基板彼此拼接，其中，所述多个线路基板的数量为2乘以n个，且n为正整数。10.根据权利要求9所述的拼接电子装置，其特征在于，每一个所述多个线路基板具有周边区与显示区，且多个所述显示区位于多个所述周边区之间，其中，每一个所述多个线路基板包括栅极驱动电路与数据驱动电路设置于所述周边区中。
技术总结
本揭露的实施例提供一种线路基板与多个线路基板拼接成的拼接电子装置。线路基板包括基板、第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第一金属层设置于基板上，包括沿着第一方向延伸的第一连接线与第二连接线，以及沿着第二方向延伸的第一扫描线与第二扫描线。第一连接线电性连接第一扫描线。第二连接线电性连接第二扫描线。第二扫描线包括两个分离的线段，分别位于第一连接线的相对两侧。第二金属层设置于基板上，包括沿着第一方向延伸的第一数据线。第一数据线重叠第一连接线。第三金属层设置于基板上，包括沿着第二方向延伸的桥接线。桥接线电性连接第二扫描线的两个分离的线段。第二金属层设置于第一金属层与第三金属层之间。金属层设置于第一金属层与第三金属层之间。金属层设置于第一金属层与第三金属层之间。
