华东交通大学是几本

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毕业设计（论文）诚信声明

本人郑重声明：所呈交的毕业设计（论文）是

我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究

成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的

地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研

究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育

机构的学位或证书所使用过的材料。

如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由

此而造成的一切后果及责任。

本人签名____________

导师签名__________

年月日

华东交通大学毕业设计（论文）任务书

姓名学号

毕业

届别

2012届

专

业

测控技术与仪器

毕业设计（论文）题目

纺织品中棉含量的近红外光谱快速测定

指导教

师

郝勇

学

历

博士

职

称

讲师

1.具体要求

以纺织品为研究对象，采用近红外光谱技术，通过光谱采集参数优化，结合不同的光谱预处理

方法建立纺织品中棉麻含量的数学模型，实现纺织品成分的快速无损检测。

2.主要完成的工作要求

（1）复杂样品光谱的采集范围：780–2500nm

（2）定量模型的误差范围：±5%

3.主要完成的工作量

（1）优化光谱采集参数，结合不同的信息提取方法，建立棉麻含量的近红外光谱定量分析模型不少

于2个，采用的方法原理说明书的字数不少于1.5万字，译文字数不少于2000单词。

（2）模型建立和结果分析说明书编写（初、终稿）2本

4.进度安排

（1）查阅文献1周

（2）毕业实习1周

（3）方案确定0.5周

（4）光谱采集及相关指标测量确定1周

（5）棉麻含量定量分析模型优化建立7周

（6）模型计算说明编写（初、终稿）3.5周

（7）答辩

指导教师签字：

年月日

教研室意见：

教研室主任签字：

年月日

题目发出日

期

设计（论文）起止

时间

附注：

华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书

课题名称纺织品中棉含量的红外光谱快速测定

课题来源课题类型

AX

导师郝勇

学生姓名学号专业测控技术与仪器

课题的目的和意义：

随着我国服装业的发展，纺织品的质量检测越来越受到人们的重视。面料成分鉴别

是纺织品质量检测的重要内容，传统的理化检测不仅分析过程复杂，它首先要经过复杂

的预处理，剪成细条、烘干、冷却、称重，然后选择不同的试剂进行测量，再进行烘干、

冷却、称重，最后通过计算得到结果。使用该方法费时费力，有污染，测量的结果也很

有可能因人而异，难以达到统一的标准。而且受人为因素影响，需要有经验的工作人员

操作。

近红外光谱技术是根据被测样品的近红外光谱特征得到其成分及含量，其分析效率

高、速度快、成本低、非破坏性和易于在线分析等。且样品无需预处理，不需要化学试

剂,安全环保；可同时测量样品内的不同成分；适用于固态、颗粒状、粉末状以及液态等

各种样品，已广泛应用于牛奶、烟草、茶叶等农产品分析和石油分析领域，并取得了较

好的吸收特征，纺织纤维中含有大量的有机分子，因此用近红外光谱技术也可对纺织品

进行检测。

方法及预期目标

以纺织品中棉麻含量为检测对象，深入研究了应用近红外光谱分析技术检测棉麻成

分含量的一系列过程，涉及对检测条件参数的选取、数据处理、异常样品的剔除、以及

回归模型的建立等方法。为实际生产中纺织品成分的快速检测提供了参考，便于进行在

线检测，从而可以替代常规的化学方法。

指导教师签名：

日期：

课题类型：（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；

（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题

（1）、（2）均要填，如AY、BX等。

华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(1)

姓名学号专业

毕业设计(论文)题目

指导教师评语：

指导教师签字：

年月日

评阅人评语：

评阅人签字：

年月日

得分

得分

华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(2)

姓名学号专业

毕业设计(论文)题目

答辩小组评语：

等级

组长签字：

年月日

答辩委员会意见：

等级

答辩委员会主任签字：

年月日（学院公章）

注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。

“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成绩）。

华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录

姓

名

学

号

毕业届

别

专

业

题目答辩时间

答辩组成员（签字）：

答辩记录：

记录人（签字）：

年月日

答辩小组组长（签字）：

年月日

附注：

摘要

I

III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光

LED外延片的MOCVD生长和性质研究

专业：学号：

学生姓名：指导教师：

摘要

宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光

器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994

年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术

以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量

或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生

长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要

的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中

的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。

本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长

机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，

生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了

如下有创新和有意义的研究结果：

1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单

晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN

外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了

GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。

„„„„

本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工

程研究中心项目的资助。

关键词：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱

中文摘要：独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中

宋体，5号，对齐居中

页眉：中文宋体，小五号，居中

正文用小4号宋体字

"摘要"用3号黑体字、居中

关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔

Abstract

II

StudyonMOCVDgrowthandpropertiesofIII-Ⅴ

nitridesandhighbrightnessblueLEDwafers

Abstract

GaNbadⅢ-ⅤnitrideshavepotentialapplicationsonhighbrightnessLEDs,

shortwavelengthlars,ultravioletdetectors,hightemperatureandhighpower

nphysicsissuesandtechnologiesofnitridesopenanew

areaof3thgenerationmiconductor.

MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthe

nitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthe

commercializationofGaNbadblueLEDin1994.

Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmosphere

pressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”

ightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthe

couragingresultsare

followingas:

enttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryfor

eawasrealizedin

layercrystallinequalitywasimprovedandthe

dislocationdensitywasdecreadbyusingGaNlowandhightemperaturebuffer

/channelingspectraexhibitedthatthe

minimumyieldχ

min

ofGaNlayerswasjustonly1.5%.Theleakelectriccurrentof

GaNbadLEDwasobviouslydecreadandlowerthan1μAat5voltrever

voltagebyusingthisnewbuffertechnology.

„„„„

Thisworkwassupportedby863programinChina.

Keyword:Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical

absorption

页眉：外文TimesNewRoman字体，五号，居中

英文摘要：独占一页；论文题目用Times

NewRoman字体小2号加粗、居中

正文用TimesNewRoman字体小4号

"ABSTRACT"用TimesNewRoman字体3号加粗、居中

关键词用TimesNewRoman小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔

目录

III

目录

摘要··························································································································Ⅰ

Abstract····················································································································Ⅱ

第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）······················1

1.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用···················································1

1.2III族氮化物的基本结构和性质···································································4

1.3掺杂和杂质特性··························································································12

1.4氮化物材料的制备······················································································13

1.5氮化物器件··································································································19

1.6GaN基材料与其它材料的比较···································································22

1.7本论文工作的内容与安排··········································································24

第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺···················································31

2.1MOCVD材料生长机理···············································································31

2.2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备··················································32

„„„„

结论·························································································································136

参考文献（References）·······················································································138

致谢·························································································································150

"目录"用小2号黑体字、居中

目录内容最少列出第一级标题（章）和第二级标题（节）；前者用

4号黑体字，后者用4号宋体字，第三级标题用4号楷体字，居

左顶格、单独占行，每一级标题后应标明起始页码

页眉：中文宋体，小五号，居中

华东交通大学毕业设计（论文）

-1-

页眉：奇数页书写“华东交通大学毕业设计（论文）”，用宋体小五

第一章GaN基半导体材料及器件进展

1.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用

在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息

息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半

导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。

以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器

件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓

慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，

优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前

景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ

族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。

„„„„

1．2III族氮化物的基本结构和性质

„„„„

表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、E

g0

、

c

和T

0

的值

样品类型实验方法

带隙温度系数

dE

g

/dT(eV/K)

T=300K

E

g0

(eV)



c

(eV/K)

T

0

(K)

参考文献

GaN/Al

2

O

3

光致发光

-5.3210-43.503

5.0810-4-99661

GaN/Al

2

O

3

光致发光



3.489

7.3210-470059

GaN/Al

2

O

3

光致发光

-4.010-4

-7.210-460062

GaN/Al

2

O

3

光吸收

-4.510-4~3.471

-9.310-477263

„„„„

章标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居中

节标题：中文宋体，英文TimesNewRoman，四号居左

正文文字：中文宋体，英文TimesNewRoman，小四，

两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符。

表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times

NewRoman，五号加粗居中，表序与表名文字

之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英

文TimesNewRoman，五号。

张三：III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究

-2-

偶数页书写“学生姓名：毕业（论文）论文的题目”，用宋体小五号书写，居中

„„„„

加热电阻

―――□―――■■―――□――→气流

测温元件测温元件

图1-1热风速计原理

„„„„

图标题置于图的下方，中文宋体，英文Times

NewRoman，五号加粗居中，图序与图名文字

之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英

文TimesNewRoman，五号。

华东交通大学毕业设计（论文）

-31-

第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺

2.1MOCVD材料生长机理

„„„„

转换控制

频率设置

波形数据设置

图2-1DDS方式AWG的工作流程

„„„„

频率信

号源

频率控

制器

地址发

生器

波形存

储器

Ｄ／Ａ

转换器

滤波器

张三：III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究

-138-

参考文献

[1]Well．Multiple-modulatorfraction-ndivider[P]．USPatent，5038117．1986-02-02

[2]BrianMiller．Amultiplemodulatorfractionldivider[J]．IEEETransactionon

instrumentationandMeasurement，1991，40(2)：578-583．

[3]万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮

电出版社，1990．302-307．

[4]Miler．Frequencysynthesizers[P]．USPatent，4609881．1991-08-06．

[5]CandyJC．Auofdouble-integretioninsigma-deltamodulation[J]．IEEE

TransCommun，1985，33(COM)：249-258．

[6]丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．

标题：中文宋体，4号，居中；英文TimesNewRoman，4号，居中。

常见参考文献格式：

①科技书籍和专著：编著者．译者．书名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，

出版年．页码．

②科技论文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷号（期号）：页码．

作者．篇名．ⅹⅹ单位博（硕）论文，年．

参考文献必须标明文献类型标志：普通图书M；会议录C；汇编G；报纸N；期刊J；

学位论文D；报告R；标准S；专利P；数据库DB；计算机程序CP；电子公告EB。

电子文献载体类型标志：磁带MT；磁盘DK；光盘CD；联机网络OL。

参考文献正文用5号宋体字，英文TimesNewRoman，5号

张三：III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究

146

致谢

„„„„

标题：宋体，4号，居中。

内容：宋体，5号，两边对齐。