专利名称：MOStransistor
发明人：滝山真功
申请号：JP特願平5-195384
申请日：19930713
公开号：JP特許第3351871号(P3351871)B2
公开日：20021203
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：Array
申请人：聯華電子股▲ふん▼有限公司
地址：臺灣新竹科學工業園區新竹市カ行二路三號
国籍：TW
代理人：國分孝悦
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