斯库林

专利名称：p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法

专利类型：发明专利

发明人：谷村英昭,山田隆泰,加藤慎一,青山敬幸

申请号：CN2.4

申请日：20190725

公开号：CN110867371A

公开日：20200306

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法。本发明提供一种能够使p型

掺杂剂以高效率活化的技术。向氮化镓(GaN)衬底注入镁作为p型掺杂剂。在包含氮及氢的气氛中利用

来自卤素灯的光照射，将该GaN衬底进行预加热，进而利用来自闪光灯的闪光照射，极短时间内加热

至高温。通过在包含氮及氢的气氛中将GaN衬底加热，便可补充已脱离的氮，防止氮缺乏。而且，可

一面向GaN衬底供给氢一面进行加热处理。进而，可使GaN衬底中存在的结晶缺陷修复。作为该等结

果，可使注入至GaN衬底的p型掺杂剂以高效率活化。

申请人：株式会社斯库林集团

地址：日本京都

国籍：JP

代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：陈甜甜

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