专利名称：Methodofmanufacturingamanufacturing
methodandaGaNsubstrateoftheGroup
IIInitridemiconductorcrystal
发明人：久米川尚平,薬師康英,永井誠二,守山実希
申请号：JP2013098013
申请日：20130507
公开号：JP6083522B2
公开日：20170222
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：PROBLEMTOBESOLVED:ToprovideamethodofmakinggroupIIInitride
miconductorcrystal,whichallowsagrowthsubstratetobeeasilyremoved,andaimsat
reductionindislocationdensityinamiconductingcrystal,andamethodof
ON:Amasklayer140isformedonaGaN
,usinglar,apluralityofrecesdpartX11whichextendfromthe
masklayer140totheGaNsubstrateG10areformedtoprovidedaedcrystalT10.A
d
crystalT10togetherwithrawmaterialareputintoacrucible,andthenpressureand
angestherecesdpartX11toarecesdpartX12on
,aGanNlayer150isgrownfrom
asurface142ofthemasklayer140asabapointinalateraldirectionandanupper
layer150doesnotfilltherecesdpartX12.
申请人：豊田合成株式会社
地址：愛知県清須市春日長畑１番地
国籍：JP
代理人：藤谷修
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本文发布于:2022-12-31 05:06:54，感谢您对本站的认可！
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