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IR相关知识笔记

HUAsystemofficeroom【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

驱动芯片IR2110功能简介

在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两

种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功

率变换装置中驱动器件的首选。

2110引脚功能及特点简介

（1）IR2110引脚管

LO（引脚1）:低端输出

COM（引脚2）:公共端

Vcc（引脚3）:低端固定电源电压

Nc（引脚4）:空端

Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压

VB(引脚6):高端浮置电源电压

HO（引脚7）:高端输出

Nc（引脚8）:空端

VDD（引脚9）:逻辑电源电压

HIN（引脚10）:逻辑高端输入

SD（引脚11）:关断

LIN（引脚12）:逻辑低端输入

Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V

Nc（引脚14）:空端

（2）IR2110的特点：

（1）具有独立的低端和高端输入通道。

（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。

（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。

（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻

辑电源地和功率电源地之间允许有V的便移量。

（5）工作频率高，可达500KHz。

（6）开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。

（7）图腾柱输出峰值电流2A。

2110内部结构

IR2110的内部结构和工作原理框图如图4所示。图中HIN和LIN为逆变桥中同一桥臂

上下两个功率MOS的驱动脉冲信号输入端。SD为保护信号输入端，当该脚接高电平时，

IR2110的输出信号全被封锁，其对应的输出端恒为低电平；而当该脚接低电平时，

IR2110的输出信号跟随HIN和LIN而变化，在实际电路里，该端接用户的保护电路的输

出。HO和LO是两路驱动信号输出端，驱动同一桥臂的MOSFET。

2110自举电路设计原理

IR2110包括：逻辑输入、电平转换、保护、上桥臂侧输出和下桥臂侧输出。逻辑输

入端采用施密特触发电路，提高抗干扰能力。输入逻辑电路与TTL／COMS电平兼容，其输

入引脚阈值为电源电压Vdd的10％，各通道相对独立。由于逻辑信号均通过电平耦合电

路连接到各自的通道上，允许逻辑电路参考地(VSS)与功率电路参考地(COM)之间有－5

V～＋5V的偏移量，并且能屏蔽小于50ns脉冲，这样便具有较理想的抗噪声效果。两

个高压MOS管推挽驱动器的最大灌入或输出电流可达2A，上桥臂通道可以承受500V的

电压。输入与输出信号之间的传导延时较小，开通传导延时为120ns，关断传导延时为9

图4IR2110内部结构

5ns。电源VCC典型值为15V，逻辑电源和模拟电源共用一个15V电源，逻辑地和模拟

地接在一起。输出端设有对功率电源VCC的欠压保护，当小于8．2V时，封锁驱动输

出。

IR2110具有很多优点：自举悬浮驱动电源可同时驱动同一桥臂的上、下两个开关器

件，驱动500V主电路系统，工作频率高，可以达到500kHz；具有电源欠压保护相关断

逻辑；输出用图腾柱结构，驱动峰值电流为2A；两通道设有低压延时封锁(50ns)。芯

片还有一个封锁两路输出的保护端SD，在SD输入高电平时，两路输出均被封锁。IR2110

的优点，给实际系统设计带来了极大方便，特别是自举悬浮驱动电源大大简化了驱动电源

设计，只用一路电源即可完成上下桥臂两个功率开关器件的驱动。IR2110的典型应用电

路如图2所示。

R2110是一种双通道高压、高速电压型功率开关器件栅极驱动器，具有自居浮动电

源，驱动电路十分简单，只用一个电源可同时驱动上下桥臂。但是IR2110芯片有他本身

的缺陷，不能产生负压，在抗扰方面比较薄弱，以下详细结合实验介绍抗干扰技术。

（1）高压侧悬浮驱动的自举原理

高端侧悬浮驱动的自举原理：

IR2110驱动半桥的电路如图所示，其中C1，VD1分别为自举电容和自举二极管，C2

为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间C1已经充到足够的电压（VC1VCC）。

当HIN为高电平时如图4.19：VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的栅极和源极

之间，C1通过VM1，Rg1和栅极和源极形成回路放电，这时C1就相当于一个电压源，从

而使S1导通。由于LIN与HIN是一对互补输入信号，所以此时LIN为低电平，VM3关

断，VM4导通，这时聚集在S2栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg2迅速对地放电，由

于死区时间影响使S2在S1开通之前迅速关断。

当HIN为低电平时如图4.20：VM1关断，VM2导通，这时聚集在S1栅极和源极的电

荷在芯片内部通过Rg1迅速放电使S1关断。经过短暂的死区时间LIN为高电平，VM3导

通，VM4关断使VCC经过Rg2和S2的栅极和源极形成回路，使S2开通。在此同时VCC经

自举二极管，C1和S2形成回路，对C1进行充电，迅速为C1补充能量，如此循环反复。

（2）自举元件设计

IGBT和PM（POWERMOSEFT）具有相似的门极特性。开通时，需要在极短

的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端

2110其他电路应用

（1）带电平箝位的IR2110驱动电路

针对IR2110的不足，对输出驱动电路进行了改进，可以采用在栅极限流电阻上反并联一

个二极管，但在大功率的环境下不太明显。本文介绍的第一种方法就是下面如图4所示电

路。在关断期间将栅极驱动电平箝位到零电平。在桥臂上管开通期间驱动信号使Q1导

通、Q2截止，正常驱动。上管关断期间，Q1截止，Q2栅极高电平，导通，将上管栅极电

位拉到低电平(三极管的饱和压降)。这样，由于密勒效应产生的电流从Q2中流过，栅极

驱动上的毛刺可以大大的减小。下管工作原理与上管完全相同，不再累述。

（2）IR2110负压产生电路

在大功率IGBT场合，各路驱动电源独立，集成驱动芯片一般都有产生负压得功能，如EX

B841系列，M57957系列等，在IGBT关断期间栅极上施加一个负电压，一般为－3～－5

V。其作用也是为了增强IGBT关断的可靠性。防止由于密勒效应而造成的误导通。IR2110

芯片内部虽然没有产生负压功能，但可以通过外加几个无源器件来实现产生负压得功能，

如图5所示。在上下管驱动电路中均加上由电容和5V稳压管组成的负压电路。

其工作原理为：电源电压为20V，在上电期间，电源通过Rg给Cg充电，Cg保持5V的

电压，在LIN为高电平的时候，LO输出0V，此时S2栅极上的电压为－5V，从而实现了

关断时负压。

对于上管S1，HIN为高电平时，HO输出为20V，加在栅极上的电压为15V。当HIN为低

电平时，HO输出0V，S1栅极为－5V。

IGBT为电压型驱动器件，所以负压负压电容C5，C6上的电压波动较小，维持在5V，自

举电容上的电压也维持在20V左右，只在下管S2导通的瞬间有一个短暂的充电过程。

IGBT的导通压降一般小于3V，负压电容C5的充电在S2导通时完成。对于C5，C6的选

择，要求大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。自举电容电电路中的二极管D1必须是快恢

复二极管，应留有足够的电流余量。此电路与一般的带负压驱动芯片产生负压原理相同，

直流母线上叠加了5V的电压。

（3）IR2110结合隔离变压器电路

上面2种方法已经得到了广泛的应用，但是也有他的缺点，首先电路比最简单的应用电路

要复杂的多，其次所用的器件数目增多，成本增加，再次效果也并不是非常好，这主要是

因为IR2110芯片本身很容易受到开关管的影响。

负载增大，电压升高，IR2110的输出波形就会变得很混乱，所以用常规的变压器隔离和I

R2110结合起来使用其电路图如6所示，这种电路结合了经典电路的部分内容，大大地减

小了负载对驱动的影响，可以用于大功率场合，电路也比较简单，非常实用。

其工作原理为：电源电压为20V，在上电期间，电源通过Rg给Cg充电，Cg保持5V的

电压，在LIN为高电平的时候，LO输出0V，此时S2栅极上的电压为－5V，从而实现了

关断时负压。

对于上管S1，HIN为高电平时，HO输出为20V，加在栅极上的电压为15V。当HIN为低

电平时，HO输出0V，S1栅极为－5V。

IGBT为电压型驱动器件，所以负压负压电容C5，C6上的电压波动较小，维持在5V，自

举电容上的电压也维持在20V左右，只在下管S2导通的瞬间有一个短暂的充电过程。

IGBT的导通压降一般小于3V，负压电容C5的充电在S2导通时完成。对于C5，C6的选

择，要求大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。自举电容电电路中的二极管D1必须是快恢

复二极管，应留有足够的电流余量。此电路与一般的带负压驱动芯片产生负压原理相同，

直流母线上叠加了5V的电压。