nmrc

DOI

：10.3969/.员园园9原062圆.2019.03.009

WO

4

2-

对红色荧光粉

Na

2

CaSiO

4

颐Eu3+

发光性能的

影响研究

隆金桥袁崔连胜袁姚鹏飞袁刘晓凤袁谭能文袁舒韦

（百色学院化学与环境工程学院，广西百色

533000

）

摘要：

研究采用高温固相法合成

Eu3+，

WO4

2-共掺杂

Na2CaSiO4系列红色荧光粉。通过

X

射线粉末衍射和荧光分析，

研究荧光粉的结构和发光性能。考察了

Eu3+，

WO4

2-掺杂量对荧光粉发光性能的影响。结果表明，掺杂了

Eu3+，

WO4

2-后Na2CaSiO4仍为纯相，属立方晶系结构，但掺杂后晶胞参数发生变化，说明

Eu3+，

WO4

2-已经进入晶格中。荧光粉发光强

度随

Eu3+，

WO4

2-掺杂含量的增加而增大。

Eu3+在晶体中的含量为

20%

时（以

Na2CaSiO4物质的量为基准），荧光粉Na2CaSiO4颐Eu3+的发光强度达到最大值。当

WO4

2-在晶体中的含量为

0.07%

时，此时，发射光的强度是掺杂前的

2.74

倍，

色坐标为（

0.66

，

0.34

），更接近标准色坐标（

0.67

，

0.33

）。

关键词：

红色荧光粉；发光性能；高温固相；共掺杂

中图分类号：

O482.31

；

O614.33

文献标识码：

A

收稿日期：

2019-03-29

资助项目：广西自然科学基金（

2018GXNSFAA294060

；

2018GXNSFBA281197

）；广西高校科研重点项目（

KY2015ZD117

）

作者简介：隆金桥（

1970-

），男，壮族，广西靖西人，副教授，主要从事无机材料的合成及性能研究。

红色荧光粉作为白光

LED

的重要组成部分被

广大研究工作者重视，在已研究的红色荧光粉当中，

三价铕离子发射光谱跃迁为5D0寅7FJ

（

J=1

、

2

、

3

、

4

）

处在红光区，可被近紫外光

393nm

和蓝光

464nm

附近激发，能够用于近紫外激发和蓝光激发的白光LED

当中而得到广泛研究[1-6]。在

Eu3+掺杂的发光材料

中，稀土

Eu3+主要有两种跃迁形态，一种是5D0寅7F1

磁偶极跃迁，在晶体场占据对称性强的严格遵守反

演中心的格位，主要发射橙色光；另一种是5D0寅7F2

电偶极跃迁，处于对称低偏离反演中心的格位，主要

发红色光[7]。在相同激发光激发下，5D0寅7F1和5D0寅7F2

的跃迁是相等，发光强度一样的。但是，从前人研究

的结果看，很少有5D0寅7F1和5D0寅7F2的跃迁是相

等，发光强度一样的荧光粉。报道较多的是以5D0寅7F2

电偶极跃迁，主要发红色光的发光材料[7-8]。为了能

使5D0寅7F2电偶极跃迁增强，使荧光粉发的红色光

更强更纯，研究者利用了量子剪裁效应[9-10]，掺杂离

子对荧光粉进行敏化而得到电偶极跃迁发光增强的

荧光粉。在加入阳离子敏化剂的研究中，已报道的有SrZn2（

PO4）2颐Eu3+，

Tb3+，

Li+[2]、

Tb2（

MoO4）3颐Sm3+/Eu3+[4]、Na2CaSiO4颐Eu3+，

Li+[11]等。

Tb3+，

Sm3+与

Eu3+之间产生能

量转移而起引起5D0寅7F2电偶极跃迁增强，

R

值

（5D0寅7F2电偶极跃迁峰面积和5D0寅7F1磁偶极跃迁

峰面积之比）增大，色纯度更好。而

Li+由于电荷补偿

和晶格畸变，非对称性高，从而使5D0寅7F2电偶极跃

迁增强，发光强度增大。在阴离子掺杂的研究中，已报

道的

NaLa0.7（

MoO4）2-x（

WO4）

x

：

0.3Eu3+[12]、

Na5Ln

（

WO4）4-z

（

MoO4）

z颐Tb3+，

Eu3+（

Ln=La

，

Y

，

Gd

）[13]、

NaGd

（

WMo

）

O8-x/2Fx颐

Eu3+[14]等体系，这些体系由于阴离子的掺杂，

Eu3+在

晶体中的对称性降低，5D0寅7F2电偶极跃迁增强，发

光强度增大。

本研究荧光粉基质为

Na2CaSiO4，通过高温固相

法合成

Na2Ca1-x（

SiO

）1-y颐xEu3+，

yWO4

2-系列红色荧光粉。

对荧光粉的结构、荧光性质、色坐标进行分析。探讨

了

Eu3+、

WO2

-用量对荧光粉发光性能的影响，并分析Eu3+浓度猝灭机制。

1

试验

1.1

试剂及仪器

硝酸铕

Eu

（

NO3）3（

99.99%

）；硅酸钠、钨酸钠和

碳酸钙均为分析纯。

荧光分光光度计

F-7000

（日立高新技术公司）；

第

34

卷第

3

期

2019

年

6

月

灾燥造援34

，

晕燥援3

Jun.圆园19悦澡蚤灶葬栽怎灶早泽贼藻灶陨灶凿怎泽贼则赠

第3期

粉末

X-

射线衍射（

XRD

）分析用的是日本理学公司

的

RigakuD/max2500V

型

X

射线粉末衍射仪。

1.2

荧光粉的制备

1.2.1Na

2

Ca

1-x

SiO

4

∶xEu3+的制备

按

Na颐Ca颐Si颐Eu=2颐

（

1-x

）

颐1颐x

物质的量比准确称

取硅酸钠、碳酸钙置于玛瑙研钵中，按

x=4%

，

8%

，12%

，

16%

，

20%

，

24%

，

28%

计算用量加入

1mmol/mL

的硝酸铕溶液。充分研磨

30min

，转入瓷坩埚，再放入

烘箱中于

105益

条件下烘

3h

，冷却后研磨得到产物

前驱体。将前驱体转入瓷坩埚，在马弗炉中

300益

的

温度下煅烧

3h

，再升温至

850益

进行煅烧

4h

，降温

后取出产品，自然冷却，研磨即得白色

Na2CaSi1-xO4颐

xEu3+系列荧光粉。

1.2.2Na

2

Ca

0.80渊SiO4冤1-y

∶0.20Eu3+袁yWO4

2-的制备

按

Na颐Ca颐Si颐Eu颐Li=2颐0.80颐

（

1-y

）

颐0.20颐y

物质的量

比准确称取硅酸钠、碳酸钙置于玛瑙研钵中，加入6.0mL

浓度为

1mmol/mL

的硝酸铕溶液，按

y=0.03%

，

0.07%

，

0.1%

，

0.13%

，

0.17%

，

0.2%

计算用量再加入

钨酸钠。然后按前述步骤进行，可得系列荧光粉Na2Ca0.8（

SiO4）1-y颐0.20Eu3+，

yWO4

2-。

1.3

荧光粉的表征

XRD

的测定：运用日本理学公司的

RigakuD/max

2500V

型

X

射线粉末衍射仪。

X

射线衍射铜靶：

X

射

线波长

姿资琢

为

1.54060A觷，扫描范围：

5毅

～

70毅

，步

长：

0.026毅

，每步扫描时间：

20s

。

荧光光谱测定：运用

F-7000

型荧光分光光度

计对荧光粉进行光谱测量。光源为氘灯，扫描速率为1200nm/min

，激发光狭缝为

2.5nm

，发射光狭缝为

2.5nm

，工作电压

700V

。

2

结果与讨论

2.1XRD

分析

图

1

为

Na2Ca0.8SiO4颐20Eu3+和

Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐

0.20Eu3+，

0.07WO4

2-的

XRD

图谱。由图

1

可知，荧光

粉

Na2Ca0.8SiO4颐20Eu3+和

Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐0.20Eu3+，0.07WO4

2-的衍射峰和标准卡

PDF#24-1096

的衍射

峰相吻合，合成出的荧光粉为一纯相。

Na2CaSiO4属

于立方晶系结构，

Z=4

，空间群为

P213，晶格参数

a=

b=c=0.74970nm

，

Vol=0.42137nm3。主衍射峰位于2兹越33.81毅

处，对应于（

220

）晶面，其余衍射峰分别对

应于（

111

）、（

200

）、（

222

）、（

400

）、（

422

）、（

511

）等晶

面。但不同掺杂的荧光粉经过

XRD

拟合后所得的晶

胞体积有不同。

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+的晶格参数

a=

b=c=0.74896nm

，

Vol=0.42011nm3，

Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐

0.20Eu3+，

0.07WO4

2-的晶格参数

a=b=c=0.74980nm

，

Vol=0.42153nm3。这些参数发生了变化都说明

Eu3+

和

WO4

2-已经进入荧光粉的晶格中。

Eu3+的离子半径为0.0947nm

，

Ca2+的离子半径为

0.0990nm

，

W6+的离子

半径为

0.042nm

，

Si4+的离子半径为

0.04[15]。

Eu3+和

W6+

将分别取代半径相近的

Ca2+和

Si4+进入

Na2CaSiO4的

晶格中。

Eu3+的半径比

Ca2+的离子半径要小，

Eu3+进

入晶格后使晶胞体积变小，

W6+的半径比

Si4+的离子

半径要大，

W6+进入晶格后使晶胞体积变大。

图

1Na

2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+

和

Na

2Ca0.8

（

SiO

4

）

0.93颐

0.20Eu3+

，

0.07WO

4

2-

荧光粉的

XRD

图

Fig.1XRDpatternsofsampleNa2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+and

Na2Ca0.8

（

SiO

4

）

0.93颐0.20Eu3+

，

0.07WO

4

2-

2.2Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+

的激发光谱和发射光谱分析

图

2

为室温

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+的激发光谱和

发射光谱。由图

2

可知，在

350

～

550nm

区间为的荧

光粉

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+在

614nm

扫描下的激发

峰，它们都是

Eu3+特征峰，源自于

Eu3+离子的7F0寅

5L6、7F0寅5D2和7F0寅5D1的跃迁，对应峰的位置分别

为

393nm

，

464nm

，

534nm

。其中位于

393nm

处的

强度大于

464nm

、

534nm

处，荧光粉

Na2Ca0.8SiO4颐

0.20Eu3+可用于紫外光激发白光

LED

灯当中。在550

～

750nm

区为荧光粉

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+的发

射光谱，在紫外光

393nm

激发下，荧光粉存在

4

个

发射峰，属于

Eu3+的5D0寅7FJ

（

J=1

、

2

、

3

、

4

）跃迁，最强

发射位于

614nm

处，是属于5D0寅7F2电偶极跃迁所

对应的发射峰，发红色光。原因荧光粉

Na2Ca0.8SiO4颐

0.20Eu3+为立方晶体结构，

[SiO4]

四面体同周围的四

个

[CaO4]

四面体以共顶相连，晶体结构为离散的孤

岛状，当掺入

Eu3+时，

Eu3+取代

Ca2+位置，晶体非对称

高[16]，使

Eu3+的5D0寅7F2电偶极跃迁强于5D0寅7F1磁

偶极跃迁，红色发光增强。

R

值（5D0寅7F2电偶极跃

迁峰面积和5D0寅7F1磁偶极跃迁峰面积之比）是检

测

Eu3+周围环境晶体对称性的方法，经过拟合计算

出

R

为

1.48

，

R

＞

1

，说明

Eu3+在晶体中处于低对称的

位置。

10

Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐0.20Eu3+，

0.07WO4

2-

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+

PDF#24-1069颐Na2CaSiO4

2兹/

（

毅

）

隆金桥袁等院WO

4

2-对红色荧光粉Na

2

CaSiO

4

∶Eu3+发光性能的影响研究

47

第

34

卷

图

2Na

2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+

荧光粉的激发光谱和发射光谱

Fig.2PLEandPLspectraoffluorescentpropertiesofsample

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+

2.3Eu3+

含量对荧光粉发光性能的影响及浓度猝灭机制

由图

3

可知，掺杂不同浓度的

Eu3+时，样品的发

射光强度随着

Eu3+掺杂浓度的增加而增强。当

Eu3+

的掺杂浓度达到

20%

时，发光强度达到最大，当Eu3+浓度继续增大到

24%

时，发光强度开始下降，出

现浓度猝灭现象。这是由于

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+荧

光粉中，随着

Eu3+浓度的增加，在

Na2CaSiO4晶体中

激活剂

Eu3+之间的距离变短，造成

Eu3+无辐射能量

转递的机会增多，跃迁发射的机会变少，从而使发射

光强度降低。文献

[11]

报道，荧光粉离子之间能量传

递的临界距离

R

C

可以用公式（

1

）表示。

（

1

）

式中：

x

c

为发光最强时的稀土含量，

%

；

N

为晶胞中

可被激活离子替换的阳离子晶格位置数；

V

为晶胞

体积，

nm3。

对于

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+荧光粉来说，

x

c=20%

，

N=4

，

V=0.42011nm3。将上述参数代入公式（

1

），可以

计算出临界距离

R

C抑0.98nm

。

RC

＞

0.5nm

表示

Eu3+

在

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+荧光粉中浓度猝灭过程是多

极矩发挥相互作用引起的。

图

3Na

2Ca1-xSiO4颐xEu3+

（

x=4%

～

28%

）的发射光谱

Fig.3PLspectraofNa2Ca1-xSiO4颐xEu3+withdifferentx

（

x=0.04

～

0.28

）

稀土离子之间的能量交换是通过能级匹配来进

行的。文献研究[17]已经证实，

Eu3+离子的发光强度

I

与掺杂浓度

C

之间存在公式（

2

）线性关系。

（

2

）

式中：

C

为

Eu3+的掺杂摩尔百分比浓度；

F

为材料系

数（同一基质为常数）；

d=3

为能量传递维数；

S

可为3

、

6

、

8

、

10

，分别对应离子间交换相互作用、电偶极

-

电偶极相互作用、电偶极

-

电多极相互作用、电多

极

-

电多极的多极矩相互作用。

根据公式（

2

），以

393nm

作为激发光，测定Na2Ca1-xSiO4颐xEu3+荧光粉的发射光中

Eu3+的猝灭部

分的发光强度与掺杂浓度的关系，对

Eu3+含量

x逸20%

的掺杂浓度

C

作

lg

（

I/C

）～

lg

（

C/d

）的关系曲线（见图

4

）。

对曲线进行线性拟合得出浓度猝灭部分斜率为

-5.05

。即

S=5.05

，更接近

6

，结合公式（

1

）和（

2

）结果，

可以认为在

Na2Ca1-xSiO4颐xEu3+荧光粉中引起

Eu3+浓

度猝灭效应的能量传递方式是电偶极

-

电偶极相互

作用。

图

4lg

（

I/C

）和

lg

（

C/d

）的线性关系

Fig.4Linearrelationshipbetweenlg

（

I/C

）

andlg

（

C/d

）

2.4WO

4

2-

含量对

Na

2

Ca

0.8

SiO

4

颐0.20Eu3+

发光性能

的影响

图

5

（

a

）给出的是

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+和Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐0.20Eu3+，

0.07WO4

2-产品的激发和发

射光谱图。由图

5

（

a

）可知，掺入

WO4

2-后荧光粉的荧

光光谱图仍然保持

Eu3+的特征峰，峰位置出现红移

的现象，但峰的形状没有变化，且激发和发射光谱的

强度都增强了，激发光谱是掺杂前的

3.11

倍，发射

光谱是掺杂前的

2.74

倍。掺杂前后的

R

值分别为

1.48

和

4.96

。根据

XRD

的检测结果，

WO4

2-进入

Na2CaSiO4

晶体中，除了起到电荷补偿剂的作用外，还使Na2CaSiO4晶胞参数发生变化，晶体场环境发生变化，

这种变化促进了基质

Na2Ca0.8SiO4与激活离子

Eu3+

之间的能量传递，从而使

WO4

2-掺杂

Na2Ca0.8SiO4颐

lg

（I

C）

=F-

S

dlgC

300750

800

波长

/nm

5D0寅7F4

5D0寅7F3

5D0寅7F1

5D0寅7F2

7F0寅5D2

7F0寅5D1

7F0寅5L6

PLE

：

姿em=614nm

PL

：

姿ex=393nm

RC=2

3V

4仔xcN蓸蔀

55

750

波长

/nm

-0.24-0.23-0.22-0.21-0.20-0.19-0.18

3.85

3.90

3.95

4.00

4.05

4.10

4.15

lg

（

C/d

）

斜率

=-5.05

试验数据

线性拟合

1

3

PL

：

姿ex=393nm

20%

24%

18%

28%

12%

8%

4%

48

第3期0.20Eu3+荧光粉的发光强度得到了提高。另外，适量

浓度的

WO4

2-掺入发光材料能够提高晶格中的氧空

位浓度，使晶体场对称性降低，促进能量转移，从而

发光强度增加[18]。

图

6

给出的是

Na2Ca0.8（

SiO4）1-y颐0.20Eu3+，

yWO4

2-

（

y=0.00%

～

0.2%

）产品在激发波长

393nm

时的发

射光谱图。由图可知，

WO4

2-的掺杂可以有效提高荧

光粉的发光强度，

WO4

2-掺杂浓度为

0.07%

时，发光

最强。少量的掺杂起到电荷补偿和增加晶体中的氧

空位作用外，少量的

WO4

2-取代

SiO4

4-，也有利于体

系中能量的传递，促使发光增强。另一方面，

WO4

2-取

代

SiO4

4-后，改变了

Eu3+晶体场环境，更多

Eu3+处于

非对称位置，使得

614nm

处发射光强度增强。当WO4

2-掺杂浓度大于

0.07%

时，过多的掺杂将破坏基

质

Na2CaSiO4的晶格，造成晶体扭曲，从而抑制能量

传递效率，引起发光强度降低。

图

5Na

2

Ca

0.8

SiO

4

颐0.20Eu3+

和

Na

2

Ca

0.8

（

SiO

4

）

0.93

：

0.20Eu3+

，

0.07WO

4

2-

的荧光粉激发和发射光谱图

Fig.5PLEandPLspectraoffluorescentpropertiesNa2Ca0.8SiO4颐

0.20Eu3+andNa2Ca0.8

（

SiO

4

）

0.93颐0.20Eu3+

，

0.07WO

4

2-

图

6Na

2Ca0.8

（

SiO

4

）

1-y颐0.20Eu3+

，

yWO

4

2-

不同

WO

4

2-

离子浓度荧光粉发射光谱图

Fig.6PLspectraofNa2Ca0.8

（

SiO

4

）

1-y颐0.20Eu3+

，

yWO

4

2-with

differentWO4

2-ionconcentrations

2.5

色坐标分析

如图

7

为

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+和

Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐

0.20Eu3+，

0.07WO4

2-的色坐标图。分别取

Na2Ca0.8SiO4颐

0.20Eu3+和

Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐0.20Eu3+，

0.07WO4

2-的发射

光谱的数据，经过

GOCIE

计算得到两种荧光粉的色

坐标值分别是（

x=0.64

，

y=0.36

）和（

0.66

，

0.34

），掺杂WO4

2-后，荧光粉的色坐标值与标准的红光色坐标

（

0.67

，

0.33

）更接近。说明

WO4

2-掺杂入荧光粉Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+后，对荧光粉起到电荷补偿和增

加氧空位作用，对荧光粉的发光起到增敏作用，同时

由于

WO4

2-进入晶格当中，晶体发生畸变，非对称性

增强，致使5D0寅7F2电偶极跃迁强于5D0寅7F1磁偶极

跃迁，从掺杂前后的

R

值变化（

R

前=1.48

，

R后=4.96

）

也可说明这点。

图

7Na

2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+

和

Na

2Ca0.8

（

SiO

4

）

0.93

：

0.20Eu3+

，

0.07WO

4

2-

荧光粉色坐标图

Fig.7CIEchromaticitydiagramvalueofNa2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+and

Na2Ca0.8

（

SiO

4

）

0.93颐0.20Eu3+

，

0.07WO

4

2-

3

结论

（

1

）采用高温固相法合成一系列

Eu3+，

WO4

2-掺杂Na2CaSiO4红色荧光粉，该荧光粉晶体结构为立方晶

系，

Na2CaSiO4分别掺杂

Eu3+和

WO4

2-后的晶胞参数

与未掺杂的

Na2CaSiO4的晶胞参数相比较发生了改

变，

Eu3+进入晶格后使晶胞体积变小，

W6+进入晶格

后使晶胞体积变大。

（

2

）荧光粉随

Eu3+，

WO4

2-掺杂浓度的增加，发光

强度逐渐增大，当

Eu3+含量为

20%

时，荧光粉Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+的发光达到最大值。

WO4

2-的掺

杂对

Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+荧光粉具有增敏作用。当WO4

2-掺杂浓度为

0.07%

时，此时的发射光谱的强度

350

400

450

500

55

PLE

：

姿em=614nm

(b)Na2Ca0.8（

SiO4）0.93颐0.20Eu3+，

0.07WO4

2-

(a)Na2Ca0.8SiO4颐0.20Eu3+

(b)

(a)

波长

/nm

PL

：

姿ex=393nm

750

550600

650700750

0.00

0.03

0.07

0.10

0.13

0.17

0.20

PL

：

姿ex=393nm

波长

/nm

隆金桥袁等院WO

4

2-对红色荧光粉Na

2

CaSiO

4

∶Eu3+发光性能的影响研究

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

0.0

0.00.10.20.30.40.50.60.70.8

x

y

49

第

34

卷

渊下转第76页冤

是掺杂前的

2.74

倍。而且掺杂后的

R

值

4.96

大于

掺杂前的

R

值

1.48

，荧光粉掺杂

WO4

2-能起到电荷补

偿和增加氧空位作用，使晶格产生畸变，促使荧光粉

发光强度增大，5D0寅7F2电偶极跃迁增强，色纯度更

好，荧光粉可应用于紫外光激发的白光

LED

当中。

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Ln=La

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50

第

34

卷

EffectofWO

4

2-DopingonLuminescencePropertiesofRedPhosphorNa

2

CaSiO

4

颐Eu3+

LONGJinqiao,CUILiansheng,YAOPengfei,LIUXiaofeng,TANNengwen,SHUWei

(CollegeofChemistryandEnvironmentEngineering,BaiUniversity,Bai533000,Guangxi,China)

Abstract:Eu3+,WO4

2-co-dopedNa2CaSiO4redphosphorsweresynthesizedbyhightemperaturesolid-statereaction.

ectsofEu3+,WO4

2-doping

ultsshowsthatafterdopingEu3+

andWO4

2-,r,thecellparameterswere

changed,indicatingthatEu3+andWO4

inousintensityofphosphor

increaswiththegrowthofEu3+andWO4

econtentofEu3+ionsis20%ofmolaramountof

Na2CaSiO4,theluminescenceofphosphorpowerNa2CaSiO4颐Eu3+econtentofWO4

2-

ionsis0.07%,theintensityofemissionis2.74timesofthatbeforedoping,andthecolorcoordinateis(0.66,0.34),

whichisclortothestandcolorcoordinate(0.67,0.33).

Keywords:redphosphor;luminescenceproperties;hightemperaturesolid-state;co-doping

（编辑：游航英）

AnAnalysisontheNationalStandardforTungstenElectrodesforArcWelding

andPlasmaWeldingandCutting

WANGLuyan1,2,3,YUYueguang2,3,PENGYing2,3,LICaobing2,3,ZHANGYuqing2,3

(ofMaterialsScienceandEngineering,BeijingUniversityofScienceandTechnology,Beijing100083,China;TechnologyGroup,

Beijing100070,China;AdvancedMaterials&ScienceTechnologyCo.,Ltd.,Beijing102206,China)

Abstract:Co-formulatedbyChinaNonferrousMetalsIndustryAssociationandtheNationalStandardization

TechnicalCommitteeforNonferrousMetalsco-formulatedtheNationalStandardforTungstenElectrodesforArc

WeldingandPlasmaWeldingandCutting(GB/T31908-2015),whichprovideanauthoritativeyardstickfor

ratelyreflectstheapplicationofnewmaterials,newprocess

itslaunch,thetechnicalrequirementshaveexperienced

nd-

depthabecomeatechnologicalbasisfor

parisonbetweenthisstandardandrelevantinternational

ndardregulatestheuoftungsten

electrodeproducts,especiallyguidesthedevelopmentofnewenvironmentallyfriendlyproducts,andpromotesthe

value-addedandstandardizedproductionoftungstenproductsinChina.

Keywords:tungstenelectrode;nationalstandard;analysis;environmentalprotection

（编辑：游航英）

渊上接第50页冤

76