deposited

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

1v

半导体一些术语的中英文对照

离子注入机ionimplanter

LSS理论LindhandScharffandSchiotttheory

又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。

沟道效应channelingeffect

射程分布rangedistribution

深度分布depthdistribution

投影射程projectedrange

阻止距离stoppingdistance

阻止本领stoppingpower

标准阻止截面standardstoppingcrossction

退火annealing

激活能activationenergy

等温退火isothermalannealing

激光退火larannealing

应力感生缺陷stress-induceddefect

择优取向preferredorientation

制版工艺mask-makingtechnology

图形畸变patterndistortion

初缩firstminification

精缩finalminification

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

2v

母版mastermask

铬版chromiumplate

干版dryplate

乳胶版emulsionplate

透明版e-throughplate

高分辨率版highresolutionplate,HRP

超微粒干版plateforultra-microminiaturization

掩模mask

掩模对准maskalignment

对准精度alignmentprecision

光刻胶photoresist

又称“光致抗蚀剂”。

负性光刻胶negativephotoresist

正性光刻胶positivephotoresist

无机光刻胶inorganicresist

多层光刻胶multilevelresist

电子束光刻胶electronbeamresist

X射线光刻胶X-rayresist

刷洗scrubbing

甩胶spinning

涂胶photoresistcoating

后烘postbaking

光刻photolithography

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

3v

X射线光刻X-raylithography

电子束光刻electronbeamlithography

离子束光刻ionbeamlithography

深紫外光刻deep-UVlithography

光刻机maskaligner

投影光刻机projectionmaskaligner

曝光exposure

接触式曝光法contactexposuremethod

接近式曝光法proximityexposuremethod

光学投影曝光法opticalprojectionexposuremethod

电子束曝光系统electronbeamexposuresystem

分步重复系统step-and-repeatsystem

显影development

线宽linewidth

去胶strippingofphotoresist

氧化去胶removingofphotoresistbyoxidation

等离子［体］去胶removingofphotoresistbyplasma

刻蚀etching

干法刻蚀dryetching

反应离子刻蚀reactiveionetching,RIE

各向同性刻蚀isotropicetching

各向异性刻蚀anisotropicetching

反应溅射刻蚀reactivesputteretching

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

4v

离子铣ionbeammilling

又称“离子磨削”。

等离子［体］刻蚀plasmaetching

钻蚀undercutting

剥离技术lift-offtechnology

又称“浮脱工艺”。

终点监测endpointmonitoring

金属化metallization

互连interconnection

多层金属化multilevelmetallization

电迁徙electromigration

回流reflow

磷硅玻璃phosphorosilicateglass

硼磷硅玻璃boron-phosphorosilicateglass

钝化工艺passivationtechnology

多层介质钝化multilayerdielectricpassivation

划片scribing

电子束切片electronbeamslicing

烧结sintering

印压indentation

热压焊thermocompressionbonding

热超声焊thermosonicbonding

冷焊coldwelding

点焊spotwelding

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

5v

球焊ballbonding

楔焊wedgebonding

内引线焊接innerleadbonding

外引线焊接outerleadbonding

梁式引线beamlead

装架工艺mountingtechnology

附着adhesion

封装packaging

金属封装metallicpackaging

陶瓷封装ceramicpackaging

扁平封装flatpackaging

塑封plasticpackage

玻璃封装glasspackaging

微封装micropackaging

又称“微组装”。

管壳package

管芯die

引线键合leadbonding

引线框式键合leadframebonding

带式自动键合tapeautomatedbonding,TAB

激光键合larbonding

超声键合ultrasonicbonding

红外键合infraredbonding

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

6v

微电子辞典

Abruptjunction突变结Acceleratedtesting加速实验

Acceptor受主Acceptoratom受主原子

Accumulation积累、堆积Accumulatingcontact积累接触

Accumulationregion积累区Accumulationlayer积累层

Activeregion有源区Activecomponent有源元

Activedevice有源器件Activation激活

Activationenergy激活能Activeregion有源（放大）区

Admittance导纳Allowedband允带

Alloy-junctiondevice合金结器件Aluminum(Aluminium)铝

Aluminum–oxide铝氧化物Aluminumpassivation铝钝化

Ambipolar双极的Ambienttemperature环境温度

Amorphous无定形的，非晶体的Amplifier功放扩音器放大器

Analogue(Analog)comparator模拟比较器Angstrom埃

Anneal退火Anisotropic各向异性的

Anode阳极Arnic(AS)砷

Auger俄歇Augerprocess俄歇过程

Avalanche雪崩Avalanchebreakdown雪崩击穿

Avalancheexcitation雪崩激发

Backgroundcarrier本底载流子Backgrounddoping本底掺杂

Backward反向Backwardbias反向偏置

Ballastingresistor整流电阻Ballbond球形键合

Band能带Bandgap能带间隙

Barrier势垒Barrierlayer势垒层

Barrierwidth势垒宽度Ba基极

Bacontact基区接触Bastretching基区扩展效应

Batransittime基区渡越时间Batransportefficiency基区输运系数

Ba-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢

Bias偏置Bilateralswitch双向开关

Binarycode二进制代码Binarycompoundmiconductor二元化合物半导体

Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管

Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带

Blockingcontact阻挡接触Body-centered体心立方

Body-centredcubicstructure体立心结构Boltzmann波尔兹曼

Bond键、键合Bondingelectron价电子

Bondingpad键合点Bootstrapcircuit自举电路

Bootstrappedemitterfollower自举射极跟随器Boron硼

Borosilicateglass硼硅玻璃Boundarycondition边界条件

Boundelectron束缚电子Breadboard模拟板、实验板

Breakdown击穿Breakover转折

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

7v

Brillouin布里渊Brillouinzone布里渊区

Built-in内建的Build-inelectricfield内建电场

Bulk体/体内Bulkabsorption体吸收

Bulkgeneration体产生Bulkrecombination体复合

Burn-in老化Burnout烧毁

Buriedchannel埋沟Burieddiffusionregion隐埋扩散区

Can外壳Capacitance电容

Capturecrossction俘获截面Capturecarrier俘获载流子

Carrier载流子、载波Carrybit进位位

Carry-inbit进位输入Carry-outbit进位输出

Cascade级联Ca管壳

Cathode阴极Center中心

Ceramic陶瓷（的）Channel沟道

Channelbreakdown沟道击穿Channelcurrent沟道电流

Channeldoping沟道掺杂Channelshortening沟道缩短

Channelwidth沟道宽度Characteristicimpedance特征阻抗

Charge电荷、充电Charge-compensationeffects电荷补偿效应

Chargeconrvation电荷守恒Chargeneutralitycondition电中性条件

Chargedrive/exchange/sharing/transfer/storage电荷驱动/交换/共享/转移/存储

Chemmicaletching化学腐蚀法Chemically-Polish化学抛光

Chemmically-MechanicallyPolish(CMP)化学机械抛光Chip芯片

Chipyield芯片成品率Clamped箝位

Clampingdiode箝位二极管Cleavageplane解理面

Clockrate时钟频率Clockgenerator时钟发生器

Clockflip-flop时钟触发器Clo-packedstructure密堆积结构

Clo-loopgain闭环增益Collector集电极

Collision碰撞CompensatedOP-AMP补偿运放

Common-ba/collector/emitterconnection共基极/集电极/发射极连接

Common-gate/drain/sourceconnection共栅/漏/源连接

Common-modegain共模增益Common-modeinput共模输入

Common-moderejectionratio(CMRR)共模抑制比

Compatibility兼容性Compensation补偿

Compensatedimpurities补偿杂质Compensatedmiconductor补偿半导体

ComplementaryDarlingtoncircuit互补达林顿电路

ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS)

互补金属氧化物半导体场效应晶体管

Complementaryerrorfunction余误差函数

Computer-aideddesign(CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM)计算机辅助设计/测试/制

造

CompoundSemiconductor化合物半导体Conductance电导

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

8v

Conductionband(edge)导带(底)Conductionlevel/state导带态

Conductor导体Conductivity电导率

Configuration组态Conlomb库仑

ConpledConfigurationDevices结构组态Constants物理常数

Constantenergysurface等能面Constant-sourcediffusion恒定源扩散

Contact接触Contamination治污

Continuityequation连续性方程Contacthole接触孔

Contactpotential接触电势Continuitycondition连续性条件

Contradoping反掺杂Controlled受控的

Converter转换器Conveyer传输器

Copperinterconnectionsystem铜互连系统Couping耦合

Covalent共阶的Crossover跨交

Critical临界的Crossunder穿交

Crucible坩埚Crystaldefect/face/orientation/lattice晶体缺陷/晶面/晶向/晶

格

Currentdensity电流密度Curvature曲率

Cutoff截止Currentdrift/dirve/sharing电流漂移/驱动/共享

CurrentSen电流取样Curvature弯曲

Customintegratedcircuit定制集成电路Cylindrical柱面的

Czochralshicrystal直立单晶

Czochralskitechnique切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）

Danglingbonds悬挂键Darkcurrent暗电流

Deadtime空载时间Debyelength德拜长度

e德布洛意Decderate减速

Decibel(dB)分贝Decode译码

Deepacceptorlevel深受主能级Deepdonorlevel深施主能级

Deepimpuritylevel深度杂质能级Deeptrap深陷阱

Defeat缺陷

Degeneratemiconductor简并半导体Degeneracy简并度

Degradation退化DegreeCelsius(centigrade)/Kelvin摄氏/开氏温度

Delay延迟Density密度

Densityofstates态密度Depletion耗尽

Depletionapproximation耗尽近似Depletioncontact耗尽接触

Depletiondepth耗尽深度Depletioneffect耗尽效应

Depletionlayer耗尽层DepletionMOS耗尽MOS

Depletionregion耗尽区Depositedfilm淀积薄膜

Depositionprocess淀积工艺Designrules设计规则

Die芯片（复数dice）Diode二极管

Dielectric介电的Dielectricisolation介质隔离

Difference-modeinput差模输入Differentialamplifier差分放大器

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

9v

Differentialcapacitance微分电容Diffudjunction扩散结

Diffusion扩散Diffusioncoefficient扩散系数

Diffusionconstant扩散常数Diffusivity扩散率

Diffusioncapacitance/barrier/current/furnace扩散电容/势垒/电流/炉

Digitalcircuit数字电路Dipoledomain偶极畴

Dipolelayer偶极层Direct-coupling直接耦合

Direct-gapmiconductor直接带隙半导体Directtransition直接跃迁

Discharge放电Discretecomponent分立元件

Dissipation耗散Distribution分布

Distributedcapacitance分布电容Distributedmodel分布模型

Displacement位移Dislocation位错

Domain畴Donor施主

Donorexhaustion施主耗尽Dopant掺杂剂

Dopedmiconductor掺杂半导体Dopingconcentration掺杂浓度

Double-diffusiveMOS(DMOS)双扩散MOS.

Drift漂移Driftfield漂移电场

Driftmobility迁移率Dryetching干法腐蚀

Dry/wetoxidation干/湿法氧化Do剂量

Dutycycle工作周期Dual-in-linepackage（DIP）双列直插式封装

Dynamics动态Dynamiccharacteristics动态属性

Dynamicimpedance动态阻抗

Earlyeffect厄利效应Earlyfailure早期失效

Effectivemass有效质量Einsteinrelation(ship)爱因斯坦关系

ElectricEraProgrammableReadOnlyMemory(E2PROM)一次性电可擦除只读存储器

Electrode电极Electrominggratim电迁移

Electronaffinity电子亲和势Electronic-grade电子能

Electron-beamphoto-resistexposure光致抗蚀剂的电子束曝光

Electrongas电子气Electron-gradewater电子级纯水

Electrontrappingcenter电子俘获中心ElectronVolt(eV)电子伏

Electrostatic静电的Element元素/元件/配件

Elementalmiconductor元素半导体Ellip椭圆

Ellipsoid椭球Emitter发射极

Emitter-coupledlogic发射极耦合逻辑Emitter-coupledpair发射极耦合对

Emitterfollower射随器Emptyband空带

Emittercrowdingeffect发射极集边（拥挤）效应

Endurancetest=lifetest寿命测试Energystate能态

Energymomentumdiagram能量-动量(E-K)图Enhancementmode增强型模式

EnhancementMOS增强性MOSEntefic(低)共溶的

Environmentaltest环境测试Epitaxial外延的

Epitaxiallayer外延层Epitaxialslice外延片

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

10v

Expitaxy外延Equivalentcurcuit等效电路

Equilibriummajority/minoritycarriers平衡多数/少数载流子

ErasableProgrammableROM(EPROM)可搽取（编程）存储器

Errorfunctioncomplement余误差函数

Etch刻蚀Etchant刻蚀剂

Etchingmask抗蚀剂掩模Excesscarrier过剩载流子

Excitationenergy激发能Excitedstate激发态

Exciton激子Extrapolation外推法

Extrinsic非本征的Extrinsicmiconductor杂质半导体

Face-centered面心立方Falltime下降时间

Fan-in扇入Fan-out扇出

Fastrecovery快恢复Fastsurfacestates快界面态

Feedback反馈Fermilevel费米能级

Fermi-DiracDistribution费米-狄拉克分布Femipotential费米势

Fickequation菲克方程（扩散）Fieldeffecttransistor场效应晶体管

Fieldoxide场氧化层Filledband满带

Film薄膜Flashmemory闪烁存储器

Flatband平带Flatpack扁平封装

Flickernoi闪烁（变）噪声Flip-floptoggle触发器翻转

Floatinggate浮栅Fluorideetch氟化氢刻蚀

Forbiddenband禁带Forwardbias正向偏置

Forwardblocking/conducting正向阻断/导通

Frequencydeviationnoi频率漂移噪声

Frequencyrespon频率响应Function函数

Gain增益Gallium-Arnide(GaAs)砷化钾

Gamyrayr射线Gate门、栅、控制极

Gateoxide栅氧化层Gauss（ian）高斯

Gaussiandistributionprofile高斯掺杂分布Generation-recombination产生-复合

Geometries几何尺寸Germanium(Ge)锗

Graded缓变的Graded(gradual)channel缓变沟道

Gradedjunction缓变结Grain晶粒

Gradient梯度Grownjunction生长结

Guardring保护环Gummel-Poommodel葛谋-潘模型

Gunn-effect狄氏效应

Hardeneddevice辐射加固器件Heatofformation形成热

Heatsink散热器、热沉Heavy/lightholeband重/轻空穴带

Heavysaturation重掺杂Hell-effect霍尔效应

Heterojunction异质结Heterojunctionstructure异质结结构

HeterojunctionBipolarTransistor（HBT）异质结双极型晶体

Highfieldproperty高场特性

High-performanceMOS.(H-MOS)高性能ized归一化

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

11v

Horizontalepitaxialreactor卧式外延反应器Hotcarrior热载流子

Hybridintegration混合集成

Image-force镜象力Impactionization碰撞电离

Impedance阻抗Imperfectstructure不完整结构

Implantationdo注入剂量Implantedion注入离子

Impurity杂质Impurityscattering杂志散射

Incrementalresistance电阻增量（微分电阻）In-contactmask接触式掩模

Indiumtinoxide(ITO)铟锡氧化物Inducedchannel感应沟道

Infrared红外的Injection注入

Inputofftvoltage输入失调电压Insulator绝缘体

InsulatedGateFET(IGFET)绝缘栅FETIntegratedinjectionlogic集成注入逻辑

Integration集成、积分Interconnection互连

Interconnectiontimedelay互连延时Interdigitatedstructure交互式结构

Interface界面Interference干涉

Internationalsystemofunions国际单位制Internallyscattering谷间散射

Interpolation内插法Intrinsic本征的

Intrinsicmiconductor本征半导体Inveroperation反向工作

Inversion反型Inverter倒相器

Ion离子Ionbeam离子束

Ionetching离子刻蚀Ionimplantation离子注入

Ionization电离Ionizationenergy电离能

Irradiation辐照Isolationland隔离岛

Isotropic各向同性

JunctionFET(JFET)结型场效应管Junctionisolation结隔离

Junctionspacing结间距Junctionside-wall结侧壁

Latchup闭锁Lateral横向的

Lattice晶格Layout版图

Latticebinding/cell/constant/defect/distortion晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟

/晶格缺陷/晶格畸变

Leakagecurrent（泄）漏电流Levelshifting电平移动

Lifetime寿命linearity线性度

Linkedbond共价键LiquidNitrogen液氮

Liquid－phaepitaxialgrowthtechnique液相外延生长技术

Lithography光刻LightEmittingDiode(LED)发光二极管

LoadlineorVariable负载线LocatingandWiring布局布线

Longitudinal纵向的Logicswing逻辑摆幅

Lorentz洛沦兹Lumpedmodel集总模型

Majoritycarrier多数载流子Mask掩膜板，光刻板

Masklevel掩模序号Maskt掩模组

Mass-actionlaw质量守恒定律Master-slaveDflip-flop主从D触发器

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

12v

Matching匹配Maxwell麦克斯韦

Meanfreepath平均自由程Meanderedemitterjunction梳状发射极结

Meantimebeforefailure(MTBF)平均工作时间

Megeto-resistance磁阻Mesa台面

MESFET-MetalSemiconductor金属半导体FET

Metallization金属化Microelectronictechnique微电子技术

Microelectronics微电子学Millenindices密勒指数

Minoritycarrier少数载流子Misfit失配

Mismatching失配Mobileions可动离子

Mobility迁移率Module模块

Modulate调制Molecularcrystal分子晶体

MonolithicIC单片ICMOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管

stor(MOST)MOS.晶体管Multiplication倍增

Modulator调制Multi-chipIC多芯片IC

Multi-chipmodule(MCM)多芯片模块Multiplicationcoefficient倍增因子

Nakedchip未封装的芯片（裸片）Negativefeedback负反馈

Negativeresistance负阻Nesting套刻

Negative-temperature-coefficient负温度系数Noimargin噪声容限

Nonequilibrium非平衡Nonrolatile非挥发（易失）性

Normallyoff/on常闭/开Numericalanalysis数值分析

Occupiedband满带Officienay功率

Offt偏移、失调Onstandby待命状态

Ohmiccontact欧姆接触Opencircuit开路

Operatingpoint工作点Operatingbias工作偏置

Operationalamplifier(OPAMP)运算放大器

Opticalphoton=photon光子Opticalquenching光猝灭

Opticaltransition光跃迁Optical-coupledisolator光耦合隔离器

Organicmiconductor有机半导体Orientation晶向、定向

Outline外形Out-of-contactmask非接触式掩模

Outputcharacteristic输出特性Outputvoltageswing输出电压摆幅

Overcompensation过补偿Over-currentprotection过流保护

Overshoot过冲Over-voltageprotection过压保护

Overlap交迭Overload过载

Oscillator振荡器Oxide氧化物

Oxidation氧化Oxidepassivation氧化层钝化

Package封装Pad压焊点

Parameter参数Parasiticeffect寄生效应

Parasiticoscillation寄生振荡Passination钝化

Passivecomponent无源元件Passivedevice无源器件

Passivesurface钝化界面Parasitictransistor寄生晶体管

Peak-pointvoltage峰点电压Peakvoltage峰值电压

Permanent-storagecircuit永久存储电路Period周期

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

13v

Periodictable周期表Permeable-ba可渗透基区

Pha-lockloop锁相环Phadrift相移

Phononspectra声子谱

Photoconduction光电导Photodiode光电二极管

Photoelectriccell光电池

Photoelectriceffect光电效应

Photoenicdevices光子器件Photolithographicprocess光刻工艺

(photo)resist（光敏）抗腐蚀剂Pin管脚

Pinchoff夹断PinningofFermilevel费米能级的钉扎（效应）

Planarprocess平面工艺Planartransistor平面晶体管

Plasma等离子体Plezoelectriceffect压电效应

Poissonequation泊松方程Pointcontact点接触

Polarity极性Polycrystal多晶

Polymermiconductor聚合物半导体Poly-silicon多晶硅

Potential(电)势Potentialbarrier势垒

Potentialwell势阱Powerdissipation功耗

Powertransistor功率晶体管Preamplifier前置放大器

Primaryflat主平面Principalaxes主轴

Print-circuitboard(PCB)印制电路板Probability几率

Probe探针Process工艺

Propagationdelay传输延时Pudopotentialmethod膺势发

Punchthrough穿通Pultriggering/modulating脉冲触发/调制Pul

WidenModulator(PWM)脉冲宽度调制

Punchthrough穿通Push-pullstage推挽级

Qualityfactor品质因子Quantization量子化

Quantum量子Quantumefficiency量子效应

Quantummechanics量子力学Quasi–Fermi－level准费米能级

Quartz石英

Radiationconductivity辐射电导率Radiationdamage辐射损伤

Radiationfluxdensity辐射通量密度Radiationhardening辐射加固

Radiationprotection辐射保护Radiative-recombination辐照复合

Radioactive放射性Reachthrough穿通

Reactivesputteringsource反应溅射源Readdiode里德二极管

Recombination复合Recoverydiode恢复二极管

Reciprocallattice倒核子Recoverytime恢复时间

Rectifier整流器（管）Rectifyingcontact整流接触

Reference基准点基准参考点Refractiveindex折射率

Register寄存器Registration对准

Regulate控制调整Relaxationlifetime驰豫时间

Reliability可靠性Resonance谐振

Resistance电阻Resistor电阻器

Resistivity电阻率Regulator稳压管（器）

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

14v

Relaxation驰豫Resonantfrequency共射频率

Respontime响应时间Rever反向的

Reverbias反向偏置

Samplingcircuit取样电路Sapphire蓝宝石（Al2O3）

Satellitevalley卫星谷Saturatedcurrentrange电流饱和区

Saturationregion饱和区Saturation饱和的

Scaleddown按比例缩小Scattering散射

Schockleydiode肖克莱二极管Schottky肖特基

Schottkybarrier肖特基势垒Schottkycontact肖特基接触

Schrodingen薛定厄Scribinggrid划片格

Secondaryflat次平面

Seedcrystal籽晶Segregation分凝

Selectivity选择性Selfaligned自对准的

Selfdiffusion自扩散Semiconductor半导体

Semiconductor-controlledrectifier可控硅Sendsitivity灵敏度

Serial串行/串联Seriesinductance串联电感

Settletime建立时间Sheetresistance薄层电阻

Shield屏蔽Shortcircuit短路

Shotnoi散粒噪声Shunt分流

Sidewallcapacitance边墙电容Signal信号

Silicaglass石英玻璃Silicon硅

Siliconcarbide碳化硅Silicondioxide(SiO2)二氧化硅

SiliconNitride(Si3N4)氮化硅SiliconOnInsulator绝缘硅

Siliverwhiskers银须Simplecubic简立方

Singlecrystal单晶Sink沉

Skineffect趋肤效应Snaptime急变时间

Sneakpath潜行通路Sulethreshold亚阈的

Solarbattery/cell太阳能电池Solidcircuit固体电路

SolidSolubility固溶度Sonband子带

Source源极Sourcefollower源随器

Spacecharge空间电荷Specificheat(PT)热

Speed-powerproduct速度功耗乘积Spherical球面的

Spin自旋Split分裂

Spontaneoumission自发发射Spreadingresistance扩展电阻

Sputter溅射Stackingfault层错

Staticcharacteristic静态特性Stimulatedemission受激发射

Stimulatedrecombination受激复合Storagetime存储时间

Stress应力Straggle偏差

Sublimation升华Substrate衬底

Substitutional替位式的Superlattice超晶格

Supply电源Surface表面

Surgecapacity浪涌能力Subscript下标

Switchingtime开关时间Switch开关

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

15v

Tailing扩展Terminal终端

Tensor张量Tensorial张量的

Thermalactivation热激发Thermalconductivity热导率

Thermalequilibrium热平衡ThermalOxidation热氧化

Thermalresistance热阻Thermalsink热沉

Thermalvelocity热运动Thermoelectricpovoer温差电动势率

Thick-filmtechnique厚膜技术Thin-filmhybridIC薄膜混合集成电路

Thin-FilmTransistor(TFT)薄膜晶体Threshlod阈值

Thyistor晶闸管Transconductance跨导

Transfercharacteristic转移特性Transferelectron转移电子

Transferfunction传输函数Transient瞬态的

Transistoraging(stress)晶体管老化Transittime渡越时间

Transition跃迁Transition-metalsilica过度金属硅化物

Transitionprobability跃迁几率Transitionregion过渡区

Transport输运Transver横向的

Trap陷阱Trapping俘获

Trappedcharge陷阱电荷Trianglegenerator三角波发生器

Triboelectricity摩擦电Trigger触发

Trim调配调整Triplediffusion三重扩散

Truthtable真值表Tolerahce容差

Tunnel(ing)隧道（穿）Tunnelcurrent隧道电流

Turnover转折Turn-offtime关断时间

Ultraviolet紫外的Unijunction单结的

Unipolar单极的Unitcell原（元）胞

Unity-gainfrequency单位增益频率Unilateral-switch单向开关

Vacancy空位Vacuum真空

Valence(value)band价带Valuebandedge价带顶

Valencebond价键Vapourpha汽相

Varactor变容管Varistor变阻器

Vibration振动Voltage电压

Wafer晶片Waveequation波动方程

Waveguide波导Wavenumber波数

Wave-particleduality波粒二相性Wear-out烧毁

Wirerouting布线Workfunction功函数

Worst-cadevice最坏情况器件

Yield成品率

Zenerbreakdown齐纳击穿

Zonemelting区熔法

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

16v

AS:AbnormalTailSensitivity线尾灵敏度异常1C

AT:AbnormalTailThreshold线的阀值异常4}9n.W-e(_0c1:j.}F8N

Bnd:Bond键合!u3D!o.Q8U2g&e2V

Ｂ／Ｈ：BondHead焊头

BBOS:BondBallOnStitch

BFM:BallFormationMonitor检测烧球质量$V!T)|#P2d!j:c

BOS:BasicOperation&Setup基本操作&设置

BPO:BondPadOpeningPad尺寸,D!d"E%K;E)@5m

BPP:BondPadPitch焊点之间的距离

BQM:BondQualityMonitor焊接质量检测

BSD:BondStickDetection检测键合粘度

BSOB:BondStitchonBall

BSOS:BondStitchonStitch

BTO:BondTipOfft焊针与镜头十字线中心位置同步校正6L%L/XF%}(T.X'n#n%]+W

Ｃ：CoaxLight同轴光"C#k,`4g+?

CA:ChamferAngle倒角角度

CD:ChamferDiameter倒角直径%I1[1p8J8x

CRT:CathodeRayTube阴极射线管

CS:ContaminationSensitivity污染敏感度3Q4M*A$v%a/W!G.G:}

CT:ContaminationThreshold污染阀值

Ctrl:Control控制；管理；抑制

D:Die芯片0d0Re"u7e4G-X5I$c2k

DACigitalAnalogConverter数字转换器#w:J*r3S#K+b

DSPigitalSignalProcessing数字信号处理$U5J.c9V"M$U/w,A*]

EFO:ElevtronicFlame-Off电子打火系统+_'w.x8E#I`5_#WX/b(y

FA:FaceAngle顶锥角（面锥角）"w%g)b!d2B

FAB:FreeAirBall空气球

FD:FloppyDisk软盘，软式磁碟片(W(e4o0p2T))HA

Frd:Forward前进

GEM:Generic

Hi:HightMagnification高倍率

Hybd:Hybrid混合动力/混合式2w6L2y%]'q6R

Impd:Impedence阻抗

Ins:Inspection检查，检验,?+m:n+T;Z

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

17v

L/FeadFrame框架

Lo:LowMagnification低倍率%h;w1g;g"E9b,r$u5R(A6^

Lgtight光照/灯$o.m*h2{:u/b!A-Q

Manu:Manual手册;指南](o;x7b;d

MTBA:MeanTimeBetweenAssist&n#S(l-G!p+W-U%F

MTBF:MeanTimeBetweenFailure

NSOL:NonStickOnLead第二点打不粘

NSOP:NonStickOnPad第一点打不粘

OLP:OffLineProgramming)R#_'_#D#g4c(g4P

OLVP:OffLineVerificationProgram,J.c-x5S7:Z:Q%a9h:Y9B

OR:OuterRadius

PIDroportionalIntegralDifferential

PMreventiveMaintenance生产保养

PRatternRecognition图像识别

PRS:PatternRecognitionSystem图像识别系统,T7a&j;D"W9x2}!@

RD:ReverDistance反向距离)M;y2h6~)s'J,H

RDA:ReverDistanceAngle反向角度4j7W2Y$h7Z*@*^

Rev:Rever:反相

RH:ReverHeight反向高度

S:SideLight侧灯

SECS:SemiconductorEquipmentControlStandard半导体设备控制标准.y$K2h9q9N4L+p*n

SG:SparkGenerator火花发生器

SMPS:SwitchModePowerSupply电源供应器

Tol:Tolerance公差；容忍；宽容；公差

T/P:TopPlate顶板

UPH:UnitPerHour每小时产量#Y7{;vu9`8Z$}

UTI:UltrasonicTransducerInterface超声波传感受器接口$`-k+N:B-l,o9H"_-^(T(e7W1j

VLL:VisualLeadLocator导脚定位

W/C:WireClamp线夹5p+u3h;R)`Q

W/H:WorkHolder轨道

W/S:WireSpool线轴0c+y1r!g4`

9E!J"I8O-)]

ESD:ElectroStaticDischarge静电释放#m%M1K*d-A,l+Q

EPa:ESDProtectedarea静电防护区9f2_3S1o7C4s"H

ESDS静电敏感设备8i$M1v*K,_$d

BM:BreakdownMaintenance事后维修&Y-N*S0i'c:O/Y-P:Z!V

CM:CorrectiveMaintenance改良保养-[)O0d%e+a

PVM:PreventiveMaintenance预防保养

MP:MaintencePreventive保养预防9W+g.F1U5T3I-C0s:P#l$x

PM:ProductionMaintenance生产保养

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

18v

BG：backgrinding背部研磨

DS：diesaw将wafer切die

DA：dieattach=DB:diebond装片

WB：wirebond焊线

MD：molding塑封，

TF：trim/from切脚、成型

Plate：这个要根据上下文来解释，

Packing：包装

TapeandReel：编带包装，盖膜跟载带走（这个膜分类也很广，也要根据上下文来做正确解释）

TCP:TAPECARRIERPACKAGE

COF:CHIPONFILM

PACKAGESAW=SINGULATION将QFN产品切割开来

TCP:TAPECARRIERPACKAGE

COF:CHIPONFILM!

PACKAGESAW=SINGULATION计划检查表

日期周几复习课目时间在规定时间内是

否完成

学生签

字

家长签

字

2017.11.

13

周一四小科例20：30-21:30是（√）否（√）穆诚豪

1.1数学八年级上册同步练习：12.2.1三角形全等的判定SSS3

19v