研究与试制
MSM
型氮化镓紫外探测器研究①Ξ
姜文海,陈 辰,周建军,李忠辉,郑惟彬,董 逊
(南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016
)
摘 要:以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属2半导体2金属型的紫外光电探测器。材料生
长是以
MOCVD
设备完成的,为非故意掺杂的
n
型材料。器件在362
nm
处具有陡峭的截止边,表现
出可见盲特性,在115
V
偏压下响应度为0171
A
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