1
(120)
1.纯净的半导体叫()。掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。
A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子
2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。
A.扩散B.漂移C.小D.大
3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。
A.双极B.空穴C.单极D.自由电子
4.负反馈放大电路的含义是()。
A.输出与输入之间有信号通路
B.电路中存在反向传输的信号通路
C.除放大电路之外还有信号通路
D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号
5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。
A.43dBB.40dBC.37dBD.3dB
6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电
路是()。
A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路
7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容
8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强
9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,
应在放大电路中引入()。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈
10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。
A.带阻B.带通C.低通D.有源
11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。
A.比较B.滤波C.调整
(210)
1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()
2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。()
3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。()
4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。()
5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。()
1.设图3-1中二极管、为理想二极管,判断它们是导通还是截止?输出电压=?(4分)
2
2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。
(6分)根据图4某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线,试求(1)静态Q点;
(2)三极管电流放大系数β;(3)集电极电阻;(4)最大不失真输出电压幅度。
OTL互补对称功率放大电路如图5。(1)说明电容C的作用,电容上的电压等于多少?(2)当输入交流
正弦电压时,问最大的输出功率是多少?效率是多少?
(8分)判断图6-1、6-2所示放大电路的反馈极性和组态。
3
设图7所示电路的静态工作点合适,、的β分别为、,发射结电阻分别为、,画出
它们的交流等效电路,并写出、和的表达式。
试用相位平衡条件判断图8-1、8-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡,简述理由。
P8.5
试求图9所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。
4
1.B,C,D2.A,C3.B,D(D,B),A,
C4.D5.C6.D,B,C7.C8.C9.B,
D10.A11.B
1.×2.×3.4.×5.
1.解:假设、断开,的阳极为0V,阴
极为-9V;的阳极为-12V,阴极为-9V;∴导
通,截止,输出电压=0V
2.PNP;硅管
=0.02mA,≈1mA,≈3V;β≈50;
≈3KΩ;≈1.5V
解:电容的作用传输交流信号,其两端的充电
电压在输入信号的负半周充当一个负电源。若电容
容量足够大,即比输入信号的周期大得多,
=1/2直流电源电压。
,
,
。
解:电流并联交直流负反馈;电压串联交直流
负反馈。
解:
图8-1能,图8-2不能。
5
(120)
1.掺入5价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠()导电。
A.空穴B.N型半导体C.P型半导体进制D.自由电子
2.PN结反偏时,少子的()运动较强,空间电荷区变厚,结电阻较()。
A.扩散B.漂移C.小D.大
3.为保证三极管工作在放大区,接入电路时,应使它的发射结、集电结保持()偏置。
A.正向,正向B.正向,反向C.反向,正向D.反向,反向
4.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是()。
A.
B.C.
5.在BJT三种基本组态放大电路中,输入电压与输出电压反相的电路是();不具有电压放大作用的的
是()。
A.共射电路B.共集电路C.共基电路
6.若要改善放大器的带负栽能力,应引入();若要增大输入电阻,应引入()。
A.电压反馈B.电流反馈C.串联反馈D.并联反馈
7.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的(),共模信号是两个输入端信号的()。
A.差B.和C.平均值
8.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原
因是()。
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
9.欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用()。
A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路
10.已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用()滤波电路。
A.带阻B.带通C.低通D.有源
11.在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的最大功耗约为()。
A.1WB.0.5WC.0.2W
12.直流稳压电源的基本组成有变压器、()、滤波、稳压。
A.整流B.比较C.调整
13.负反馈所能抑制的干扰和噪声是()。
A.反馈支路产生的干扰和噪声B.反馈环路内的干扰和噪声
C.反馈环路外的干扰和噪声D.输出信号中的干扰和噪声
14.RC文氏电桥正弦波振荡电路要能起振,要求放大电路的电压增益()。
A.>1B.>3C.=3
(210)
1.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()
2.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。()
3.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号。()
4.若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。()
6
5.在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。()
1.电路如图3-1,已知=10sinwt(v),E=5v,R=1kW,试用理想模型分析电路的功能,并画出的波形。
2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。
(10分)固定偏流电路如图4-1所示。已知:=12V,=280kΩ,=3kΩ,=3kΩ,三极
管β=50,取=200Ω,=0.7V。求:(1)静态工作点Q;(2)求电压增益;(3)假如该电路
的输出波形出现如图4-2所示的失真,问是属于截止失真还是饱和失真?调整电路中的哪个元件可以消除
这种失真?如何调整?
差分放大电路如图5所示,已知三极管的β均为100,=0.7V,=10K,=20K,=11.3K。
1.求静态工作点(,,);2.求双出的、。
7
试用相位平衡条件判断图6-1、6-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡,简述理由。
判断图7-1、7-2所示放大电路的反馈极性,若为负反馈,判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电
压放大倍数。
试求图8所示电路输出电压与输入电压的运
算关系式。
8
1.B,D2.B,D3.B4.C5.A,B6.A,
C7.A,C8.B,A9.D10.B11.C
12.A13.B14.B
1.2.×3.4.×5.×
1.1.解:假设D断开,阳极端电位为,阴极端
电位为E,则
(1)
(2)>E时,二极管正向导通,=E;
波形如图,为单向(正
向)限幅电路。
2.NPN,硅管。
(1)≈0.04mA,≈≈2mA,≈6V
(2)≈963Ω,≈1.5KΩ,≈-78
(3)饱和失真,调节偏流电阻,增大阻值。
(1)
(2)
图6-1可能,图6-2不能。
图7-1电流并联负反馈,,
,
;图
7-2正反馈。
9
(120)
1.在本征半导体中,掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它的多子是()。
A.N型半导体B.P型半导体C.电子D.空穴
2.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A.增大B.不变C.减小
3.PN结反偏时,空间电荷区(),多子的扩散运动被阻止,只有少子的()运动形成反向饱和电流。
A.变厚B.扩散C.漂移D.变薄
4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容
5.稳压管的稳压区是其工作在()。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
6.直流稳压电源中的整流电路利用了二极管的()特性。
A.正向伏安特性B.反向伏安特性C.单向导电性
7.当信号频率等于放大电路的或时,放大倍数的值约下降到中频时的()。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍
8.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入();欲减小电路从信号源索取的电
流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈
9.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用()。
A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路
10.为了获得输入电压中的低频信号,应选用()滤波电路。
A.带阻B.带通C.低通D.有源
11.正弦波振荡电路的基本组成有:包含负反馈的放大电路、构成()的选频网络和稳幅环节。
A.正反馈B.负反馈C.反馈
12.下面说法那个是正确的()。
A.正弦波振荡器是一个具有负反馈的放大器
B.正弦波振荡器是一个具有正反馈的放大器
C.正弦波振荡器是一个具有选频网络的正反馈的放大器
D.正弦波振荡器是一个满足振荡相位和幅度值条件的选频放大器
13.在差分放大电路中,若2个输入端信号分别为15mV和3mV,则其差模输入信号为(),共模输入信
号为()。
A.18mVB.12mVC.9mVD.6mV
14.为了使滤波电路的输出电阻小,带负载能力强,应选用()滤波电路。
A.无源B.低通C.有源
15.若要求电压放大倍数较大,应选用()放大电路;若要求放大电路的输入电阻较大,应选用()放大
电路。
A.共基极B.共发射极C.共集电极
(210)
1.因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。()
2.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()
10
3.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。()
4.因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的=0°,单管共集放大电路的=0°,满足正弦波振荡
的相位条件+=2nπ(n为整数),故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。()
5.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。()
1.电路如图3-1,设D为理想二极管,试判断二极管的工作状态。
2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。
(10分)射极偏置电路如图4所示。已知:=12V,=2.5kΩ,=7.5kΩ,=2kΩ,
=1kΩ,=2kΩ,三极管β=30,取=300Ω,=0.7V。求:1)静态工作点Q;(2)电压增益
;(3)电路输入电阻和输出电阻。
差分放大电路如图5所示,已知三极管的β均为100,=0.7V,=10K,=20K,=11.3K。
1.求静态工作点;
2.若输出信号从的集电极输出,计算。
11
试用相位平衡条件判断图6-1、6-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡,简述理由。
判断图7-1、7-2所示电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,设图
中所有电容对交流信号均可视为短路。若为交流负反馈,判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电压放
大倍数。
试求图8所示电路输出电压与输入电压的运算关
系式。
12
1.B,D2.A3.A,C4.C5..C6.C
7.B8.C,A9.C10.C11.A12.D
13.B,C14.C15.B,C
1.×2.×3.4.×5.×
1.解:=12×[10/(10+50)]=2V;=
-10×[2/(18+2)]+12×[5/(25+5)]=1V;>,所
以,二极管导通。
2.NPN,硅管。
(1)≈3V,≈IE≈2.3mA,≈0.077mA,
≈5.1V,
(2)≈650Ω,≈1KΩ,≈-46.2,
(3)≈483Ω,≈RC=2KΩ。
1.
2.
图6-1不能,图6-2可能。
图7-1直流负反馈;图7-2电压串联负反馈,
,
13
(120)
1.在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体,加入()元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价通八达C.三价
2.PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
A.变宽B.基本不变C.变窄
3.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()少数载流子的浓度则与()有很大的关系。
A.温度B.少子寿命C.杂质浓度D.晶体缺陷
4.工作在放大区的某三极管,如果当从12μA增大到22μA时,从1mA变为2mA,那么它的β约为
()。
A.83B.91C.100
5.当晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应工作于()。
A.前者反偏、后者也反偏;B.前者正偏、后者反偏;C.前者正偏、后者也正偏。
6.=0V时,不存在导电沟道的场效应管是()。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管
7.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最
大()。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率
8.选用差分放大电路的原因是()。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数
9.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用()。
A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路
10.当信号频率等于放大电路的或时,放大倍数的值比中频时下降了()。
A.3dBB.4dBC.5dB
11.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,
应在放大电路中引入()。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈
12.欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用()。
A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.加法运算电路
13.若将基本积分电路中在集成运算放大器负反馈支路的电容换成二极管,便可得到基本的()运算电路。
A.积分B.微分C.对数D.指数
14.为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用()滤波电路。
A.带阻B.带通C.有源D.低通
15.制作频率为20Hz~20kHz的音频信号发生电路,应选用()。
A.LC正弦波振荡电路B.RC桥式正弦波振荡电路C.石英晶体正弦波振荡电路
16.正弦波振荡电路发生自激振荡的相位平衡条件是();振幅平衡条件是()。
A.B.C.|AF|=1D.|AF|>1
(210)
14
1.功率放大电路互补输出级应采用共集或共漏接法。()
2.只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。()
3.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。()
4.运算电路中一般均引入负反馈。()
5.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其大的特点。()
1.电路如图3-1,设D为理想二极管,试判断二极管的工作状态。
2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。
放大电路如图所示,β=50。试求:(1)静态Q点;
(2);、;。
判断图5-1、5-2所示放大电路的反馈极性,若为负反馈,判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电
压放大倍数。
15
试用相位平衡条件判断图6-1、6-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡,简述理由。设图6-2中容
量远大于其它三个电容的容量。
试求图7所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。
电路如图8所示,已知和的饱和管压降│
│=2V,直流功耗可忽略不计。试问(1)、和的
作用是什么?(2)负载上可能获得的最大输出功率
和电路的转换效率η各为多少?
16
1.A,C2.C3.C,A4.C5.B6.B
7.A8.A9.A10.A11.B,D12.D
13.C14.C15.B16.A,C
1.2.×3.×4.5.
1.解:=15×[10/(140+50)]=1V;
=10×[2/(18+2)]+15×[5/(25+5)]=3.5V;<,
所以,二极管截止。
2.PNP,锗管。
解:(1)
(2)
图5-1正反馈;图5-2电压串联负反馈
图6-1可能,图6-2可能。
解:(1)消除交越失真。
(2)最大输出功率和效率分别为
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