王灿，中国科学院物理研究所研究员

人物经历

1993年安徽大学物理系获学士学位；

2002年中国科学院固体物理研究所获博士学位；

2002年9月至2004年9月，中国科学院物理研究所博士后；

2004年10月至2005年3月，日本筑波国立产业技术综合研究所JSPS Rearch Fellow；

2005年4月至2007年8月，英国剑桥大学 Rearch Associate；

2007年进入中国科学院物理研究所工作，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。

主要成就

研究成果

王灿用激光分子束外延方法生长了高质量的多铁性BFO外延薄膜和异质结，观察到界面势垒受铁电极化调制而引起的可反转二极管与铁电电致电阻特性，研究了光、电、磁及应力等外场对薄膜结构和特性的影响与机制，及BFO薄膜在新型铁电存储器和光伏器件中的应用；研究了铁电材料(PZT,BTO)的铁弹特性与相变，以及应变与非180度畴反转的关系；研究了相界、成分梯度、及应变调制等对铁电/介电薄膜的结构和物性的影响。已在国际期刊发表SCI论文70余篇，他引2000余次。

研究方向

针对信息存储和太阳能光伏器件等应用背景，研究新型氧化物功能薄膜和异质结的生长、物理与器件。

研究课题

王灿承担国家自然科学基金和科技部973项目。主要使用激光分子束外延技术对氧化物薄膜进行原子尺度的设计和生长，构建人工界面和异质结，研究和探索新型低维功能材料与微纳器件，该研究是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。研究涉及氧化物薄膜的铁电、铁磁、多铁和光电特性，及信息存储和太阳能光伏器件等。