半导体专业术语英语x

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acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)
acceptor:受主,如B,掺入Si中需要接受电子
3.
ACCESS:一个EDA(EngineeringDataAnalysis
)系统
4.
Acid:酸
5.
Activedevice
:有源器件,如MOSFET(非线性,可以对信号放大)
6.
Alignmark(key)
:对位标志
7.
Alloy:合金
8.
Aluminum:铝
9.Ammonia:氨水
10.Ammoniumfluoride
:NH4F
11.Ammoniumhydroxide
:NH4OH
Amorphoussilicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)
Analog:模拟的
Angstrom:A(1E-10m)埃
Anisotropic:各向异性(如POLYETCH)
16.
AQL(AcceptanceQualityLevel)
:接受质量标准,在必定采样下,可以
95%置信度通
过质量标准(不一样于靠谱性,靠谱性要求一准时间后的无效率)
17.
ARC(Antireflectivecoating)
:抗反射层(用于METAL
等层的光刻)
Antimony(Sb)锑
Argon(Ar)氩
Arnic(As)***
21.Arnictrioxide(As2O3)三氧化二***
Arsine(AsH3)
Asher:去胶机
Aspectration:面貌比(ETCH中的深度、宽度比)
Autodoping:自夹杂(外延时SUB的浓度高,以致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)
Backend:后段(CONTACT今后、PCM测试前)
Baline:标准流程
Benchmark:基准
Bipolar:双极
Boat:扩散用(石英)舟
31.CD:(CriticalDimension)临界(要点)尺寸。在工艺上平时指条宽,比方POLYCD
为多晶条宽。
Characterwindow:特色窗口。用文字或数字描述的包含工艺全部特征的一个方形地域。
Chemical-mechanicalpolish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
Chemicalvapordeposition(CVD):化学汽相淀积。一种经过化学反应生成一层薄膜的工艺。
Chip:碎片或芯片。
36.CIM:computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的
一种综合方式。
Circuitdesign:电路设计。一种将各种元器件连接起来实现必定功能的技术。
Cleanroom:一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特别要求的特定地域。
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39.
Compensationdoping
:赔偿混淆。向P型半导体掺入施主杂质或向
N型掺入受主杂质。
40.CMOS:complementarymetaloxidemiconductor
的缩写。一种将PMOS和NMOS
在同一个硅衬底上混淆制造的工艺。
41.
Computer-aideddesign
(CAD):计算机辅助设计。
42.
Conductivitytype:传导种类,由多数载流子决定。在
N型资猜中多数载流子是电子,
在P型资猜中多数载流子是空穴。
Contact:孔。在工艺中平时指孔1,即连接铝和硅的孔。
Controlchart:控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
Correlation:相关性。
46.
Cp:工艺能力,详见processcapability。
47.
Cpk:工艺能力指数,详见processcapabilityindex。
Cycletime:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。平时用来衡量流通速度的快慢。
Damage:伤害。对于单晶体来说,有时晶格缺点在表面办理后形成没法修复的变形也可以叫做伤害。
Defectdensity:缺点密度。单位面积内的缺点数。
51.Depletionimplant:耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗
尽晶体管指在栅压为零的状况下有电流流过的晶体管。)
Depletionlayer:耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的地域。
Depletionwidth:耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个地域的宽度。
Deposition:淀积。一种在圆片上淀积必定厚度的且不睦下边层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55.Depthoffocus(DOF):焦深。
designofexperiments(DOE):为了达到花费最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批试验计划。
develop:显影(经过化学办理除掉曝光地域的光刻胶,形成所需图形的过程)
developer:Ⅰ)显影设备;Ⅱ)显影液
diborane(B2H6):乙硼烷,一种无色、易挥发、有毒的可燃气体,常用来作为半导体生产中的硼源
dichloromethane(CH2CL2):二***甲,一种无色,不行燃,不行爆的液体。
dichlorosilane(DSC):二***甲硅烷,一种可燃,有腐化性,无色,在湿润环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅的成长,以及用在堆积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
die:硅片中一个很小的单位,包含了设计完好的单个芯片以及芯片周边水平易垂直方向上的部分划片槽地域。
dielectric:Ⅰ)介质,一种绝缘资料;Ⅱ)用于陶瓷或塑料封装的表面资料,可以供给电绝缘功能。
diffudlayer:扩散层,即杂质离子经过固态扩散进入单晶硅中,在周边硅表面的地域形成与衬底资料反型的杂质离子层。
disilane(Si2H6):乙硅烷,一种无色、无腐化性、极易燃的气体,燃烧时能产生高火焰,裸露在空气中会自燃。在生产光电单元时,乙硅烷常用于堆积多晶硅薄膜。
drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
dryetch:干刻,指采纳反应气体或电离气体除掉硅片某一层次中未受保护地域的混淆了物理腐化及化学腐化的工艺过程。
effectivelayerthickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内
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的硅锭前端的深度。
EM:electromigration,电子迁徙,指由经过铝条的电流以致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70.epitaxiallayer:外延层。半导体技术中,在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体资料,这一单晶半导体层即为外延层。
equipmentdowntime:设备状态异常以及不可以完成预约功能的时间。
etch:腐化,运用物理或化学方法有选择的去除不需的地域。
exposure:曝光,使感光资料感光或受其余辐射资料照耀的过程。
fab:常指半导体生产的制造工厂。
featuresize:特色尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。
field-effecttransistor(FET):场效应管。包含源、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏的多子流驱动而工作,多子流由栅下的横向电场控制。
film:薄膜,圆片上的一层或多层迭加的物质。
flat:平边
79.flatbandcapacitan:平带电容
80.flatbandvoltage:平带电压
81.flowcoefficicent:流动系数
82.flowvelocity:流速计
flowvolume:流量计
flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数
85.forbiddenenergygap:禁带
86.four-pointprobe:四点探针台
87.functionalarea:功能区
88.gateoxide:栅氧
89.glasstransitiontemperature:玻璃态变换温度
gowning:净化服
grayarea:灰区
92.grazingincidenceinterferometer:切线入射干涉仪
hardbake:后烘
heteroepitaxy:单晶长在不一样资料的衬底上的外延方法
high-currentimplanter:束电流大于3ma的注入方式,用于批量生产
96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter:高效率空气颗粒过滤器,去掉99.97%
的大于0.3um的颗粒
97.host:主机
98.hotcarriers:热载流子
hydrophilic:亲水性
hydrophobic:疏水性
impurity:杂质
102.inductivecoupledplasma(ICP):感觉等离子体
103.inertgas:惰性气体
104.initialoxide:一氧
105.insulator:绝缘
106.isolatedline:隔断线
107.implant:注入
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impurityn:混淆
junction:结
junctionspikingn:铝穿刺
kerf:划片槽
landingpadn:PAD
113.lithographyn制版
114.maintainability,equipment:设备产能
115.maintenancen:养护
116.majoritycarriern:多数载流子
117.masks,deviceriesofn:一成套光刻版
materialn:原料
matrixn1:矩阵
meann:均匀值
measuredleakraten:测得漏率
mediann:中间值
memoryn:记忆体
metaln:金属
125.nanometer(nm)n
:纳米
126.nanocond(ns)n:纳秒
127.nitrideetchn
:氮化物刻蚀
128.nitrogen(N2)n
:氮气,一种双原子气体
129.n-typeadj:n
型
ohmspersquaren:欧姆每平方:方块电阻
orientationn:晶向,一组晶列所指的方向
132.overlapn:交迭区
oxidationn:氧化,高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
phosphorus(P)n:磷,一种有毒的非金属元素
photomaskn:光刻版,用于光刻的版
136.photomask,negativen:反刻
images:去掉图形地域的版
138.photomask,positiven:正刻
pilotn:先行批,用以考据该工艺能否吻合规格的片子
plasman:等离子体,用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141.plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n:等离子体化学气相淀积,
低温条件下的等离子淀积工艺
142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn:TEOS淀积,淀积TEOS的一种工艺
143.pnjunctionn:pn结
pockedbeadn:麻点,在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
polarizationn:偏振,描述电磁波下电场矢量方向的术语
polyciden:多晶硅/金属硅化物,解决高阻的复合栅结构
147.polycrystallinesilicon(poly)n:多晶硅,高浓度混淆(>5E19)的硅,能导电。
polymorphismn:多态现象,多晶形成一种化合物以最少两种不一样的形态结晶的现象
149.probern:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备,用以连接圆片和检测设备。
processcontroln:过程控制。半导系统造过程中,对设备或产品规范的控制能力。
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151.proximityX-rayn:近X射线:一种光刻技术,用X射线照耀置于光刻胶上方的掩膜版,从而使对应的光刻胶暴光。
purewatern:纯水。半导体生产中所用之水。
quantumdevicen:量子设备。一种电子设备结构,其特征源于电子的颠簸性。
154.quartzcarriern:石英舟。
155.randomaccessmemory(RAM)n:随机储存器。
156.randomlogicdevicen:随机逻辑器件。
157.rapidthermalprocessing(RTP)n:迅速热办理(RTP)。
158.reactiveionetch(RIE)n:反应离子刻蚀(RIE)。
reactorn:反应腔。反应进行的密封隔断腔。
recipen:菜单。生产过程中对圆片所做的每一步办理规范。
resistn:光刻胶。
162.scanningelectronmicroscope(SEM)n:电子显微镜(SEM)。
163.scheduleddowntimen:(设备)预约歇工时间。
164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二极管。
165.scribelinen:划片槽。
166.sacrificialetchbackn:牺牲腐化。
miconductorn:半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺
杂水平。
sideload:边沿载荷,被曲折后产生的应力。
170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片
171.smallscaleintegration(SSI):小规模综合,在单一模块上由2到10个图案的布局。
sourcecode:原代码,机器代码编译者使用的,输入到程序设计语言里或编码器的代
码。
spectralline:光谱线,光谱镊制机或分光计在焦平面上捕获到的狭长状的图形。
spinwebbing:旋转带,在旋转过程中在下表面形成的细丝状的节余物。
sputteretch:溅射刻蚀,从离子轰击产生的表面除掉薄膜。
176.stackingfault:堆垛层错,原子一般积聚规律的背叛产生的2次空间错误。
steambath:蒸汽浴,一个大气压下,流动蒸汽或其余温度热源的暴光。
steprespontime:瞬态特征时间,大多数流量控制器实验中,一般变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
stepper:步进光刻机(按BLOCK来曝光)
stresstest:应力测试,包含特定的电压、温度、湿度条件。
181.surfaceprofile:表面轮廓,指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的状况下)。
symptom:征兆,人员感觉到在必定条件下产生变化的弊端的主观认识。
183.tackweld:中断焊,平时在角落上找寻早先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。
Taylortray:泰勒盘,褐拈土构成的高膨胀物质。
temperaturecycling:温度周期变化,丈量出的重复出现周边似的高低温循环。
testability:易测性,对于一个已给电路来说,哪些测试是适用它的。
thermaldeposition:热堆积,在超出950度的高温下,硅片引入化学混淆物的过程。
thinfilm:超薄薄膜,积聚在原片表面的用于传导或绝缘的一层特别薄膜。
titanium(Ti):钛。
toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、无色易燃的液体,它不溶于水但溶于酒精和大气。
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191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。
这类混淆物不溶于水但溶于酒精和大气。
192.tungsten(W):钨。
193.tungstenhexafluoride(WF6):***化钨。无色无味的气体也许是淡黄色液体。在CVD
中WF6用于淀积硅化物,也可用于钨传导的薄膜。
tinning:金属性表面覆盖焊点的薄层。
totalfixedchargedensity(Nth):以下是硅表面不行动电荷密度的总和:氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获取电荷密度(Nit)。
watt(W):瓦。能量单位。
waferflat:从晶片的一面直接切下去,用于表示自由载流子的导电种类和晶体表面的晶向,也可用于在办理和雕合过程中的摆列晶片。
198.waferprocesschamber(WPC):对晶片进行工艺的腔体。
199.well:阱。
200.wetchemicaletch:湿法化学腐化。
trench:深腐化地域,用于从另一地域隔断出一个地域也许在硅晶片上形成储存电容
器。
via:通孔。使隔着电介质的上下两层金真实现电连接。
window:在隔断晶片中,同意上下两层实现电连接的绝缘的通道。
torr:托。压力的单位。
vaporpressure:当固体或液体处于均衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度相关的函数。
vacuum:真空。
207.transitionmetals:过渡金属
Yield良率
Parameter参数
PAC感光化合物
ASIC特别应用集成电路
Solvent溶剂
Carbide碳
Refractive折射
Expansion膨胀
Strip湿式刻蚀法的一种
TM:topmental顶层金属层
WEE周边曝光
PSG硼硅玻璃
MFG制造部
Runcard运作卡
POD装晶舟和晶片的盒子
Scratch刮伤
Reticle光罩
Sputter溅射
Spin旋转
Merge合并
A/D[军]Analog.Digital,模拟/数字
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ACMagnitude
交流幅度
ACPha
交流相位
Accuracy
精度
"ActivityModel
ActivityModel"
活动模型
AdditiveProcess
加成工艺
Adhesion
附着力
Aggressor
搅乱源
AnalogSource
模拟源
AOI,AutomatedOpticalInspection
自动光学检查
AsmblyVariant
不一样的装置版本输出
Attributes
属性
AXI,AutomatedX-rayInspection
自动X光检查
BIST,Built-inSelfTest
内建的自测试
BusRoute
总线布线
Circuit
电路基准
circuitdiagram
电路图
Clementine
专用共形开线设计
ClusterPlacement簇布局
CM合约制造商
CommonImpedance
共模阻抗
Concurrent
并行设计
ConstantSource
恒压源
CooperPour智能覆铜
Crosstalk
串扰
CVT,ComponentVerificationandTracking
元件确认与追踪
DCMagnitude
直流幅度
Delay
延时
Delays
延时
DesignforTesting
可测试性设计
Designator
表记
DFC,DesignforCost
面向成本的设计
DFM,DesignforManufacturing
面向制造过程的设计
DFR,DesignforReliability
面向靠谱性的设计
DFT,DesignforTest
面向测试的设计
DFX,DesignforX
面向产品的整个生命周期或某个环节的设计
DSM,DynamicSetupManagement
动向设定管理
DynamicRoute
动向布线
EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat
电子设计交互格式
EIA,ElectronicIndustriesAssociation
电子工业协会
ElectroDynamicCheck
动向电性能解析
ElectromagneticDisturbance
电磁搅乱
ElectromagneticNoi
电磁噪声
EMC,ElctromagneticCompatibilt
电磁兼容
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EMI,ElectromagneticInterference电磁搅乱
Emulation硬件仿真
EngineeringChangeOrder原理图与PCB领土的自动对应更正
Enmble多层平面电磁场仿真
ESD静电开释
FallTime降落时间
FalClocking假时钟
FEP***化乙丙烯
FFT,FastFourierTransform
迅速傅里叶变换
FloatLicen
网络浮动
FrequencyDomain
频域
GaussianDistribution
高斯分布
Globalflducial
板基准
GroundBounce
地弹反射
GUI,GraphicalUrInterface
图形用户界面
Harmonica
射频微波电路仿真
HFSS三维高频结构电磁场仿真
IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification
模型
ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing
在ECCE项目里就是指制作PCB
IEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers
国际电气和电子工程师协会
IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification
三维立体几何模型和工程描述的标准
ImageFiducial
电路基准
Impedance
阻抗
In-Circuit-Test在线测试
InitialVoltage
初始电压
InputRiTime
输入跃升时间
IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect
封装与互连协会
IPO,InteractiveProcessOptimizaton
交互过程优化
ISO,TheInternationalStandardsOrganization
国际标准化组织
Jumper跳线
LinearDesignSuit
线性设计软件包
LocalFiducial
个别基准
manufacturing
制造业
MCMs,Multi-ChipModules
多芯片组件
MDE,MaxwellDesignEnvironment
NonlinearDesignSuit
非线性设计软件包
ODB++OpenDataBa公开数据库
OEM原设备制造商
OLEAutomation
目标连接与嵌入
On-lineDRC
在线设计规则检查
Optimetrics
优化和参数扫描
Overshoot
过冲
Panelfiducial
板基准
PCBPCBoardLayoutTools
电路板布局布线
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PCB,PrintedCircuitBoard
印制电路板
Period
周期
PeriodicPulSource
周期脉冲源
PhysicalDesignReu
物理设计可重复
PI,PowerI