ILI9325中文完整版-望星天涯整理

更新时间:2024-11-07 00:27:29 阅读: 评论:0


2022年8月1日发
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控制器ILI9325中文

6、ILI9325模块介绍

MPU系统接口(MPUSystemInterface)

ILI8325有一个16位的变址寄存器(IR)、一个18位的写数据寄存器(WDR)和一个18位的读数据寄存

器(RDR)。变址寄存器(IR)存储来自控制寄存器和内部的GRAM的指令信息。写数据寄存器(WDR)

用来暂时存储要被写到控制寄存器和内部的GRAM中的数据。读数据寄存器(RDR)用来暂时存储从

GRAM中读取的数据。MPU中要写入内部GRAM的数据,首先写到写数据寄存器(WDR),然后再又内

部操作自动的写到内部的GRAM中。要读取的数据要通过读数据寄存器(RDR)从内部GRAM中读取。

因此无效数据将被读到数据总线,当ILI9325从内部的GRAM中读取第一个数据的时候,有效数据将在

ILI9325进行了第二次读操作之后被读出。

寄存器在寄存器执行时间中会被连续的写入数据,除非在振荡器起震的时候执行了0个循环。

并行RGB接口(ParallelRGBInterface)

ILI9325根据外部的接口和显示移动图片的情况提供了并行的RGB接口和VSYC(垂直同步)接口。当RGB

接口被选择,显示操作将和外部提供的信号VSYC,HSYC,DOTCLK同步.在RGB模式,根据使能信号的

极性(高电平或是低电平)数据(DB17-0)将会根据这些同步信号被写入来阻止在数据更新的时候屏幕

闪烁。

在VSYC模式,显示操作和内部的时钟同步,除了帧同步之外,帧同步操作是是和VSYC信号同步的。

显示数据经过系统接口被写入内部GRAM,在这种情况下,有写入数据到内部RAM中的方法和速度,详

细情况见“外部显示接口”(ExternalDisplayInterface)。ILI9325可以通过指令允许在外部显示接口和系

统接口之间切换,所以最合适的接口可以根据屏幕上显示的图片的种类(静止的或移动的)来选择。RGB

接口通过写所有的显示数据到内部的RAM,允许转移数据,当在移动的图片更新帧的时候,有益于在

低功耗的情况下移动显示图片。

位操作(BitOperation)

ILI9325支持一个写数据屏蔽功能为以位为单位选择写数据到内部的RAM

和一个逻辑/比较操作功能写数据到GRAM,仅当遇到比较数据和比较寄存器位的情况下可以使用,具体见

图片操作功能(“GraphicsOperationFunctions”)

变址计数器(AddressCounter(AC))

变址计数器(AC)给一个变址给内部的GRAM,当指令寄存器在变址计数器中设置一个RAM变址时,它会

被写到指令寄存器。变址信息从IR中送到AC,当写数据到内部GRAM时,AC中变址会自动的加一或者

减一。单变址功能允许数据写在用户在GRAM设定的任意一个变址相应的矩形区域内。

图片RAM(GraphicsRAM(GRAM))

GRAM是以位模式数据存储172,820(240x320x18/8)字节18位每像素的图片RAM

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灰度级电压产生电路(GrayscaleVoltageGeneratingCircuit)

灰度级电压产生电路产生一个液晶驱动电压,根据设定在Y-修正寄存器中的灰度级数据,从而显示出

262,144种颜具体的见“Y-修正寄存器”章节

定时控制器(TimingController)

定时控制器为操作内部的电路产生一个定时信号,例如内部GRAM。显示操作的定时例如RAM读操作

和内部定时操作如从MPU中存取数据…….(后面的不知道怎么翻译)

振荡器(Oscillator(OSC))

ILI9325利用内部的震荡电阻产生一个RC震荡,帧速率根据寄存器的设置而被调整。

LCD驱动电路(LCDDriverCircuit)

ILI9325的驱动电路由720个源驱动源(S1~S720)和320个门驱动。当720位数据输入的时候,显示模式

将会被锁存,锁存数据控制源驱动并且产生一个驱动波。门驱动扫描门垂直输出的VGH或VGL级别。

……待续….

8.寄存器描述(RegisterDescriptions)

8.1.寄存器访问

ILI9325为适应高性能微处理器采用18位总线接口,ILI9325的内部模块只有在接受了外部的微处理器的

18-,16-,9-,8-位接口的正确指令后才开始工作,指令寄存器(IR)存储将要写入的指令和显示数据的寄存

器的变址,寄存器选择信号(RS),读/写信号(rd/wr)和数据总线用来读/写ILI9325的指令和数据的。

ILI9325的寄存器被分类为以下几组:

指定变址寄存器(IR)

读取一个状态

显示控制

电源管理控制

图片数据处理

设置内部GRAM地址(AC)

传输数据到内部GRAM或从内部GRAM传输数据(

R22)

内部灰度Y-修正(R30~R39)

8.2.指令介绍

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8.2.1.变址(IR)

变址寄存器指定寄存器的地址(R00h~RFFh))或者要访问的RAM的地址。

8.2.2.状态读取(RS)

SR位反映了ILI9325内部的状态。

L[7:0]指示目前正在驱动TFT面板的驱动线位置

8.2.3.起振(R00h)

当读该寄存器时,器件号码”9325”H被读出

输出驱动控制(R01h)

SS:从源驱动器选择输出的转变方向。

当SS=0输出转变方向是从S1到S720

当SS=1输出转变方向是从S720到S1

除了改变方向,SS和RGB位的设置需要在源驱动引脚改变指定R,G,B的点。

指定R,G,B点到源驱动引脚从S1到S720设定SS=0

指定R,G,B点到源驱动引脚从S720到S1设定SS=1

当改变SS或者RGB位的时候,RAM数据需要被再次写入

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驱动波形控制(R02h)

=

.B/C0:帧/场倒位

1:线反转

EOR:EOR=1和B/C=1设置线反转

8.2.6.进入模式(R03h)

AM:控制GRAM的更新方向

当AM=0地址在水平写入方向得以更新

当AM=1地址在垂直写入方向得以更新

当一个窗口区域是由寄存器R50h~R53h来设置时,GRAM区域地址更新仅仅根据I/D[1:0]和AM位的设置来

确定。

I/D[1:0]当更新一个像素数据时,I/D[1:0]位控制地址计数器(AC)自动增加或者减少1。详细请见下图:

GRAM访问方向设定

ORG:当窗口地址区域产生后,原点地址的移动根据ID的设定。当使用高速写RAM模式写数据到窗口地

址区域这个功能被使能。

ORG=0:原点地址不会移动,在这种情况下,在窗口地址区域根据GRAM的地址映射指定一个地址开始写操

作。

ORG=1:原始地址为“00000h”根据ID[1:0]的设定来移动。

注意:1、当ORG=1,仅仅原始地址地址值为“00000h”能够通过设置寄存器R20h和R21h被设定。

2、在RAM读操作模式,保证ORG=0。

BGR:根据被写入的数据交换R和B的顺序

BGR0根据RGB的顺序写入像素数据

BGR=1交换RGB数据成为BGR写到GRAM

TRI:当TRI=1根据8位接口模式,数据以8位X3的模式被传送到内部RAM.可以通过和DFM位联合使

用在转换模式到16位接口模式或者SPI接口模式情况下传送数据以实现显示262k种彩。当不使用这些接

口模式,确保设置

TRI=0

DFM:当TRI=1的时候设置传输数据模式

到内部RAM,详细情况见下图

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8.2.7.调整控制寄存器(R04h)

RSZ[1:0]设定调整的因数

当RSZ位设置为调整图片大小的时候,ILI9325根据调整因数来写数据,以保证按照调各自整因素缩小后的原始

图像按照其水平和垂直尺寸规格来显示。看“调整功能”。

RCH[1:0]:当调整图片时设置在水平方向上剩余像素的数值。

通过设定RCH位来指定剩余像素值,数据在被传送时不用考虑剩余像素,保证在不使用调整功能时RCH=2’h0

或者没有剩余像素时。

RCV[1:0]:当调整图片时设置在垂直方向上剩余像素的数值。

通过设定RCV位来指定剩余像素值,数据在被传送时不用考虑剩余像素,保证在不使用调整功能时RCV=2’h0

或者没有剩余像素时。

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调整因数

RSZ[1:0]

不调整(X1)

00

01X1/2

设定禁止

10

11X1/4

RCH[1:0]

00

01

10

11

RCV[1:0]

00

01

10

11

在水平方向上保留的像素数

0像素

1像素

2像素

3像素

在垂直方向上保留的像素数

0像素

1像素

2像素

3像素

(1像素=1RGB)

8.2.8.显示控制1(R07h)

D[1:0]设定D[1:0]=11来打开显示屏,设定D[1:0]=00来关显示屏

当写D1=1图片会被显示在屏上,写D1=0关闭图片显示

当写D1=0图片显示数据被保持在内部GRAM,当写D1=1,ILI9325将会显示图像据。当D1=0屏上没有显示,

所有的源输出呈低电平,以减少LCD用交流(AC)电压驱动液晶时产生的充电/放电电流。

当通过设定D[1:0]=“01”,来关闭显示,ILI9325仍然进行内部的显示操作。当设定D[1:0]=“00”,来关闭

显示时ILI9325的内部显示操作完全停止。通过和GO,DTE位联合来设定,D[1:0]来设定显示控制的开或

关。

注意:1.不管是否设置D[1:0]位,源自微控制器的写数据操作都将被执行

2.D[1:0]位的设定,在第一和第二显示都是有效的。

3.源自输出引脚的不亮显示级别由指令(PTS)决定

CL当CL=1,8显示模式被选择。

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GO和DTE是按照如下的来设定G1~G320的门驱动输出级别的

BASEE

基本图像显示位。当BASEE=0没有基本图像显示。ILI9325驱动液晶在不亮显示级别或者仅仅显示部分图像。

当BASEE=1显示基本图像。D[1:0]设置比BASEE设置有更高的优先权。

PTDE[1:0]

部分图像2和部分图像1使能位

PTDE1/0=0:关闭部分图像,仅显示基本图像。

PTDE1/0=1:开部分图像,设置基本图像显示使能位为0(BASEE=0)

8.2.9.显示控制2(R08h)

FP[3:0]/BP[3:0]

FP[3:0]和BP[3:0]位分别指定前后边沿周期的行号码(porch边沿,入口,periods周期)

当设定FP[3:0]和BP[3:0]值时要保证以下情况:

BP+FP≤16lines

FP≥2lines

BP≥2lines

在每一种操作模式下按如下设置FP[3:0]和BP[3:0]位

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(VSync垂直同步,front前面,Prohibited禁止,porch边沿,入口,periods周期,Synchronization同步)

8.2.10.显示控制3(R09h)

ISC[3:0]:当设定PTG[1:0]=10选择扫描间隔时,指定门驱动在非显示区域的扫描间隔周期,扫描周期设定为在

0~29帧周期中的奇数值,每个扫描周期极性都会反转。

PTG[1:0]设置不显示区域的扫描模式。

PTS[2:0]

设置不显示区域驱动周期的源输出级别(前/后边沿周期,局部显示空白区域的空白区(此处没有翻译通顺,不

知道怎么翻译))

当PTS[2]=1产生灰度的运放(不是V0和V63)的操作被中止,不显示驱动的升压时钟频率将会变成原来时钟

的一半,以减少功率消耗。

注意:1.在不显示驱动周期降低升压时钟频率和终止灰度运放可以提高电源效率

2.在不亮显示区域的输出门级别的驱动周期由PTG[1:0]位来决定

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8.2.11显示控制4(R0Ah)

FM[2:0]根据显示数据重写周期和数据传输速率,设置FMARK信号的输出间隔

FMARKOE当FMARKOE=1,在FMI[2:0]输出间隔设置位设置下ILI9325开始产生FMARK信号

8.2.12RGB显示接口控制1(R0Ch)

RIM[1:0]选择RGB数据接口宽度

注意1:寄存器只能由系统接口设置

注意2:当转换接口的时候保证一个像素数据(3个点)传输完毕。

DM[1:0]选择显示操作模式

DM[1:0]的设置允许在内部时钟操作模式和外部显示接口操作模式之间切换。禁止在RGB接口操作模式和

VSYC接口操作模式之间切换。

RM选择访问GRAM的接口

当通过RGB接口写显示数据的时候设置RM=1

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注意1:寄存器只能通过系统接口或者是SPI接口来设定

注意2:模式转换参照RG输入接口流程图部分

EC[2:0]通过RGB接口设置GRAM的写周期

8.2.13.帧标记位(R0Dh)

EMP[8:0]设置帧循环输出的位置(帧产生)

当FMP[8:0]=0,一个高主动脉冲FMARK在第一显示周期的起始后边沿周期输出

保证:9’h000≦FMP≦BP+L+FP

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显示接口控制2(R0Fh)

DPL:设置DOTCLK脚的信号输出极性

DPL=0数据在DOTCLK的上升沿输出

DPL=1数据在DOTCLK的下降沿输出

EPL:设置使能脚的信号极性

EPL=0当EBLE=0数据DB17-0被写入,当EBLE=1不能进行写数据操作

EPL=1当EBLE=1数据DB17-0被写入,当EBLE=0不能进行写数据操作

HSPL:设置HSYC脚的信号极性

HSPL0低电平有效

HSPL1高电平有效

VSPL:设置VSYC脚的信号极性

VSPL0低电平有效

VSPL1高电平有效

8.2.15.电源控制1(R10h)

SLP:当SLP=1,ILI9325进入睡眠模式,除了RC振荡器外显示操作都停止,以减少电源消耗。在睡眠模式,

GRAM数据和指令不会被更新,除非通过下列两条指令:a,退出睡眠模式(SLP=0)b,开始震荡

=

=

STB:当STB=1,ILI9325进入待机模式,除了GRAM电源供给外,显示操作停止以减少电源消耗。在待机模式,

GRAM数据和指令不会被更新,除非通过下列两条指令:a,退出待机模式(STB)b,开始震荡

=

=

DSTB:当DSTB=1,ILI9325进入深度待机模式,在深度待机模式,内部逻辑电源供给关闭以减少电源消耗,GRAM

和指令数据不会被保存在深度待机模式下,退出深度待机模式后,他们需要被复位。

AP[2:0]:在LCD电源供给电路调整操作运放电路的稳定电流。最大稳定电流可以提高LCD的驱动能力,但也

增加了电流消耗。调整稳定电流时需要综合考虑显示质量和电流消耗,在不显示周期,设置AP[2:0]=000停止运

行运放电路,升高电路电压减少电流消耗。

SAP:源驱动输出控制

SAP=0,源驱动禁止

SAP=1,源驱动使能

当LCD处于开机状态启动电荷泵,保证SAP=0,在开启LCD供电电路后设置SAP=1

设置APE=1根据电源供给顺序开始供电

BT[3:0]设置使用升压电路的参数

为工作电压选择最佳升压因数,为了减少功率消耗设置最小的电压因数

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注意:1.当产生DDVDH,VGH,VGL和VCL级时需要在电容脚连接电容

2.确保DDVDH=6.0V(max.),VGH=15.0V(max.),VGL=–12.5V(max)VCL=-3.0V(max.)

8.2.16.电源控制2(R11h)

VC[2:0]:设置产生参考电压Vci1的比例因数

DC0[2;0]选择升压电路1的工作频率。更高的升压电路工作频率可以提高升压电路的驱动能力和显示质量,但

是会增加电流消耗,调整工作频率需要综合考虑显示质量和电路消耗。

DC1[2;0]选择升压电路2的工作频率。更高的升压电路工作频率可以提高升压电路的驱动能力和显示质量,但

是会增加电流消耗,调整工作频率需要综合考虑显示质量和电路消耗。

注意:保证fDCDC1≥fDCDC2当设定DC0[2:0]和DC1[2:0]的时候

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8.2.17.电源控制3(R12h)

VHR[3:0]设置应用于VREG1OUT级的输出的放大速率(1.6~1.9),VREG1OUT级是VCOM级和灰度电压产

生级的参考级

VCIRE:选择外部参考电压Vci或者内部参考电压VCIR

外部参考电压Vci(默认)

VCIRE=0

内部参考电压2.5V

VCIRE=1

当VCI<2.5V,内部参考电压将会小如VCI

确保VC和VRH的设定限制在VREG1OUT≦(DDVDH-0.5)V.

PO:控制电路3(VGL)输出的开和关

8.2.18.电源控制4(R13h)

VDV[4:0]选择VREG1OUT因数来设置Vcom的交互电压振幅范围为0.70-1.24xVREG1OUT

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设置VDV[4:0]让Vcom幅度小于6V

水平垂直变址设定(水平位置寄存器变址0x20垂直变址寄存器变址0x21GRAM

Horizontal/VerticalAddressSet(R20h,R21h))

AD[16:0]设置变址计数器(AC)的初始化数值。

变址计数器(AC)会根据AM和I/D位的设置来自动的更新其数值,当数据写入内部的GARM中时。当从

内部GRAM中读数据时变址计数器不会自动更新其数值。

GRAM内部数据映射图

AD[16:0]GRAMDataMap

0x00000--0x000EF

0x00100--0x001EF

0x00200--0x002EF

0x00300--0x003EF

……

0x13D00--0x13DEF

0x13E00--0x13EEF

第1行GRAMData

第2行GRAMData

第3行GRAMData

第4行GRAMData

……

第318行GRAMData

第319行GRAMData

第320行GRAMData

0x13F00--0x13FEF

注意:当RGB接口被选择的时候(RM=1),变址AD[16:0]在每帧的VSYC的下降沿将会被设置到变址计数器。

当内部模块操作或者是VSYC接口模式被选择(RM=0),变址AD[16:0]将会在更新R21寄存器的时候被设置

到变址计数器。

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8.2.20.写数据到GRAM(R22h)

这个寄存器是GRAM的访问端口,当通过这个寄存器更新显示数据的时候,地址计数器会自动增加或者减少

8.2.21.从GRAM中读数据(ReadDatafromGRAM(R22h))

RD[17:0]通过读数据寄存器从GRAM中读取的数据

分别在18-/16-/9-/8-位模式下通过读寄存器从GRAM中读取的数据

18位接口:

16位接口:

9位接口

8位接口和串行数据传输接口:

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GRAM数据读回流程图

【GRAM数据读回流程】

8.2.22.电源控制7(R29h)

VCM[5:0]设置内部VcomH电压

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8.2.23.帧速率和颜控制(R2Bh)

FRS[4:0]:当内部电阻应用于震荡电路的时候设置帧速率

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8.2.24.伽马控制(R30h~R3Dh)

8.2.25.垂直水平RAM变址位置(HorizontalandVerticalRAMAddressPosition(R50h,R51h,R52h,R53h))

HSA[7:0]/HEA[7:0]:HSA[7:0]andHEA[7:0]分别表示了水平方向窗口变址的起始变址和结束变址。通过设置

HSA和HEA位能够限定写数据时候的GRAM的水平区域。HSA和HEA位必须在开始写RAM操作之前设定

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在设定这些位时必须保证:“00”h≤HSA[7:0]

VSA[8:0]/VEA[8:0]:VSA[8:0]andVEA[8:0]分别表示了垂直方向窗口变址的起始变址和结束变址。通过设置

VSA和VEA位能够限定写数据时候的GRAM的垂直区域。VSA和VEA位必须在开始写RAM操作之前设定

在设定这些位时必须保证:“000”h≤VSA[8:0]

注意:窗口变址必须在GRAM变址空间之内。

当在高速操作模式的时候数据是以四个字的格式向GRAM内写入的…具体见高速RAM功能章节

(High-SpeedRAMWriteFunction)

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